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J-GLOBAL ID：201702218794713326   整理番号：17A1391546

X-バンド上のMEMS同調空洞発振器の解析【Powered by NICT】

Analysis of a MEMS Tuned Cavity Oscillator on $X$ -Band

著者 (4件)： Horberg Mikael (Department of Microtechnology and Nanoscience, Microwave Electronics Laboratory, Chalmers University of Technology, Gothenburg, Sweden) ,  Emanuelsson Thomas (Department of Microtechnology and Nanoscience, Microwave Electronics Laboratory, Chalmers University of Technology, Gothenburg, Sweden) ,  Zirath Herbert (Department of Microtechnology and Nanoscience, Microwave Electronics Laboratory, Chalmers University of Technology, Gothenburg, Sweden) ,  Kuylenstierna Dan (Department of Microtechnology and Nanoscience, Microwave Electronics Laboratory, Chalmers University of Technology, Gothenburg, Sweden)
資料名： IEEE Transactions on Microwave Theory and Techniques  (IEEE Transactions on Microwave Theory and Techniques)
巻： 65  号： 9  ページ： 3257-3268  発行年： 2017年 
JST資料番号： C0229A  ISSN： 0018-9480  CODEN： IETMAB  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： GaN-HEMTモノリシックマイクロ波集積回路反射増幅器に基づくXバンドに対するラジオ周波数マイクロエレクトロメカニカルシステム(RF MEMS)調整共振器発振器の解析について報告した。RF MEMSスイッチは反射増幅器に接続したマイクロストリップ線路と結合したアルミニウム共振器に貫入した低損失プリント回路基板(PCB)上に搭載されている。スイッチの数だけでなく位相雑音と同調範囲に関してそれらの位置の影響を調べた。スイッチの垂直方向と水平方向の位置は位相雑音と全同調範囲間の最適トレードオフをターゲットとした変化させた。エンド空洞壁から1mmの深さで三列MEMS構成では,4.9%の同調範囲を測定した。中心周波数は100kHzオフセットで 140~129dBc/Hzの位相雑音測定値から9.84~10.33GHzの範囲であった。2.5mm深さで類似した三列MEMS装置を100kHzオフセットで 133~ 123dBc/Hzの測定された位相雑音を持つ12.3%の同調範囲を提供する。Copyright 2017 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： *発振器 ,  プリント基板 ,  MMIC ,  周波数 ,  *MEMS ,  マイクロストリップ線路 ,  増幅器 ,  位相雑音 ,  共振器 ,  *同調 ,  オフセット ,  スイッチ
準シソーラス用語： 同調範囲 ,  RF MEMS ,  Xバンド , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： 発振回路  (NC05020Y)

タイトルに関連する用語 (6件)： バンド ,  MEMS ,  同調 ,  空洞 ,  発振器 ,  解析