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J-GLOBAL ID：201702218815983860   整理番号：17A1457826

電子構造におけるドーピング誘起改質とZnO薄膜の磁性:価電子帯と伝導帯の研究【Powered by NICT】

Doping induced modifications in the electronic structure and magnetism of ZnO films: Valence band and conduction band studies

著者 (10件)： Katba Savan (Department of Physics, Saurashtra University, Rajkot, 360005, India) ,  Jethva Sadaf (Department of Physics, Saurashtra University, Rajkot, 360005, India) ,  Udeshi Malay (Department of Physics, Saurashtra University, Rajkot, 360005, India) ,  Trivedi Priyanka (Materials Science Group, Inter University Accelerator Center, New Delhi, 110067, India) ,  Vagadia Megha (DCMP & MS, Tata Institute of Fundamental Research, Mumbai, 400005, India) ,  Shukla D.K. (UGC DAE Consortium for Scientific Research, Khandwa Road, Indore, 452017, India) ,  Choudhary R.J. (UGC DAE Consortium for Scientific Research, Khandwa Road, Indore, 452017, India) ,  Phase D.M. (UGC DAE Consortium for Scientific Research, Khandwa Road, Indore, 452017, India) ,  Kuberkar D.G. (Department of Nanoscience and Advanced Materials, Saurashtra University, Rajkot, 360005, India) ,  Kuberkar D.G. (Department of Physics, Saurashtra University, Rajkot, 360005, India)
資料名： Applied Surface Science  (Applied Surface Science)
巻： 423  ページ： 100-110  発行年： 2017年 
JST資料番号： B0707B  ISSN： 0169-4332  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： パルスレーザ蒸着(PLD)ZnO,Zn_0 0.95Fe_0 0.05O(ZFO),Zn_0 0.98Al_0 0.02O(ZAO)とZn_0 0.93Fe_0 0.05Al_0 0.02O(ZFAO)膜の電子構造を光電子分光法およびX線吸収分光法により調べた。X線回折とφスキャン測定は,膜のエピタキシャルc方向性成長を示した。温度に依存する磁化およびM-Hループ測定は,すべての膜の室温磁気秩序の存在を示した。ZFOとZFAO膜のFeの2p XPSとFe L_3-1,2-端XASの継手は,Feの存在,の両方で,四面体対称性中のFe~とFe~状態を示した。共鳴モードにおける価電子帯スペクトルは,Fermi準位近傍のFe~2+状態(~2eV)の存在を示す56eVでの共鳴光子エネルギーを示した。OK端XASのスペクトル形状に及ぼすFeとAlドーピングの顕著な効果が観察された。分光学的研究の結果は,膜の強磁性は,交換相互作用に関与する電荷キャリアの数を増加させる酸素欠損の寄与により明らかにした。Fe(ZFAO)Al共ドーピングは,キャリアを介した強磁性交換相互作用の増加による飽和磁化の増大をもたらした。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： 共鳴 ,  強磁性 ,  鉄 ,  *電子構造 ,  交換相互作用 ,  スペクトル ,  *価電子バンド ,  アルミニウム ,  X線吸収分光法 ,  Fermi準位 ,  エピタクシー ,  *伝導バンド ,  *酸化亜鉛
準シソーラス用語： 共ドーピング ,  電荷キャリア , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (5件)： ZnO ,  希薄磁性半導体 ,  光電子分光 ,  価電子帯分光法 ,  X線吸収分光法

分類 (2件)： 磁性材料  (NA04040H) ,  磁区・磁化過程一般  (BM06111M)

タイトルに関連する用語 (9件)： 電子構造 ,  ドーピング ,  誘起 ,  改質 ,  ZnO薄膜 ,  磁性 ,  価電子帯 ,  伝導帯 ,  研究