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J-GLOBAL ID：201702218827408272   整理番号：17A1062708

種々の粒子形態をもつシリコンインゴット中の置換型および格子間不純物の分布【Powered by NICT】

Distributions of substitutional and interstitial impurities in silicon ingot with different grain morphologies

著者 (12件)： Li Pengting (School of Materials Science and Engineering, Dalian University of Technology, Dalian 116023, China) ,  Li Pengting (Key Laboratory for Solar Energy Photovoltaic System of Liaoning Province, Dalian 116023, China) ,  Ren Shiqiang (School of Materials Science and Engineering, Dalian University of Technology, Dalian 116023, China) ,  Ren Shiqiang (Key Laboratory for Solar Energy Photovoltaic System of Liaoning Province, Dalian 116023, China) ,  Jiang Dachuan (School of Materials Science and Engineering, Dalian University of Technology, Dalian 116023, China) ,  Jiang Dachuan (Key Laboratory for Solar Energy Photovoltaic System of Liaoning Province, Dalian 116023, China) ,  Wang Kai (School of Materials Science and Engineering, Dalian University of Technology, Dalian 116023, China) ,  Wang Kai (Key Laboratory for Solar Energy Photovoltaic System of Liaoning Province, Dalian 116023, China) ,  Li Jiayan (School of Materials Science and Engineering, Dalian University of Technology, Dalian 116023, China) ,  Li Jiayan (Key Laboratory for Solar Energy Photovoltaic System of Liaoning Province, Dalian 116023, China) ,  Tan Yi (School of Materials Science and Engineering, Dalian University of Technology, Dalian 116023, China) ,  Tan Yi (Key Laboratory for Solar Energy Photovoltaic System of Liaoning Province, Dalian 116023, China)
資料名： Materials Science in Semiconductor Processing  (Materials Science in Semiconductor Processing)
巻： 67  ページ： 1-7  発行年： 2017年 
JST資料番号： W1055A  ISSN： 1369-8001  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 柱状と不規則な結晶粒をもつ多結晶シリコンインゴットを一方向凝固によるや金級Si(MG Si)から得られた。異なる粒形態中の置換型と格子間不純物の偏析挙動を研究した。シリコンインゴット中の置換型不純物(B,Al)の濃度分布はScheilの方程式,結晶粒形態に依存すると一致。しかし,格子間不純物(Fe,Ti,Cu,およびNi)の濃度分布は柱状結晶粒成長条件下でScheilの方程式と一致だけであった。不純物の差分格子サイトは柱状と不規則な粒成長のための不純物の異なる偏析挙動,シリコンインゴット中の置換型と格子間不純物の多様な濃度分布をもたらすであろう。さらに,固液界面境界の前面における侵入型および置換型不純物の輸送機構を明らかにした。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： 結晶成長 ,  *インゴット ,  濃度分布 ,  *不純物 ,  固液界面 ,  一方向凝固 ,  アルミニウム ,  ニッケル ,  結晶粒 ,  冶金 ,  柱状晶 ,  ポリシリコン ,  偏析
準シソーラス用語： 方向性凝固 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (4件)： 方向性凝固 ,  粒形態 ,  間質性不純物 ,  置換型不純物

分類 (1件)： 固体デバイス材料  (NC03020K)

タイトルに関連する用語 (7件)： 粒子形態 ,  シリコン ,  インゴット ,  置換 ,  格子 ,  不純物 ,  分布