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J-GLOBAL ID：201702218906976633   整理番号：17A1092065

Cu(In,Ga)Se_2薄膜太陽電池の時間分解光ルミネセンスにおける電荷分離効果【Powered by NICT】

Charge separation effects in time-resolved photoluminescence of Cu(In,Ga)Se₂ thin film solar cells

著者 (2件)： Heise Stephan J. (Laboratory for Chalcogenide Photovoltaics, Department of Energy and Semiconductor Research, Institute of Physics, University of Oldenburg, Oldenburg D-26111, Germany) ,  Lopez Salas J.F. (Laboratory for Chalcogenide Photovoltaics, Department of Energy and Semiconductor Research, Institute of Physics, University of Oldenburg, Oldenburg D-26111, Germany)
資料名： Thin Solid Films  (Thin Solid Films)
巻： 633  ページ： 35-39  発行年： 2017年 
JST資料番号： B0899A  ISSN： 0040-6090  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 時間分解光ルミネセンス(TRPL)は,半導体の電荷キャリア動力学を研究するための強力なツールである。多くの機構は,PL減衰特性に寄与する可能性がある,放射バンド間再結合,非放射Shockley-Read-Hall再結合,捕獲とトラップ状態を介した少数キャリアだけでなく,異なる導電率と組み合わせたそれらの電気化学ポテンシャルの勾配によって生成された電子正孔対の分離の再放出である。Cu(In,Ga)Se_2薄膜太陽電池において電荷分離は完全なデバイスにおける低注入レベルでTRPL信号を支配することが示されているCdS被覆吸収体におけるPL減衰は電荷分離による影響を受けず,裸の吸収層のそれと同じであることが報告されている。本研究では,注入レベルの関数として完全細胞,CdS被覆吸収体と裸の吸収体のPL減衰を調べた。完全細胞のみならずCdS被覆吸収体のPL減衰は,十分に低い注入レベルでの電荷分離により支配されることを示した。この注入領域ではCdS被覆吸収体のTRPL信号は裸の吸収体のそれと有意に異なっていたが,より高い注入レベルで異なる減衰時間定数が観察された。時間分解デバイスシミュレーションを用いて,電荷分離の機構と過渡PL減衰に及ぼすそれらの影響を解析した。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： 半導体 ,  吸収体 ,  再結合 ,  *太陽電池 ,  電子正孔対 ,  *電荷 ,  少数キャリア ,  硫化カドミウム ,  減衰時間 ,  電気伝導率 ,  *電荷分離 ,  被覆 ,  減衰特性
準シソーラス用語： *時間分解光ルミネセンス ,  *薄膜太陽電池 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (4件)： 時間分解光ルミネセンス ,  電荷分離 ,  太陽電池 ,  銅インジウムガリウムセレニド

分類 (1件)： 太陽電池  (NC03084O)

タイトルに関連する用語 (6件)： Cu ,  Ga ,  薄膜太陽電池 ,  時間分解光ルミネセンス ,  電荷 ,  分離効果