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J-GLOBAL ID：201702218912463210   整理番号：17A1388431

ヒドロキシアパタイトにおけるYb~2+及びYb~3+イオンの配置間および配置内遷移:陰極線ルミネセンス研究【Powered by NICT】

Interconfigurational and intraconfigurational transitions of Yb²⁺ and Yb³⁺ ions in hydroxyapatite: A cathodoluminescence study

著者 (6件)： Zavala Luz A. (Centro de Nanociencias y Nanotecnologia, Universidad Nacional Autonoma de Mexico, Km 107 Carretera Tijuana-Ensenada, C.P. 22800, Ensenada, Baja California, Mexico) ,  Fernandez Paloma (Departamento de Fisica de Materiales, Universidad Complutense de Madrid, Facultad de Fisica 2° planta, C.P. 28040, Madrid, Spain) ,  Novitskaya Ekaterina (Department of Mechanical and Aerospace Engineering, University of California, San Diego, 9500 Gilman Drive - MC 0411, La Jolla, CA 92093-0411, USA) ,  Diaz Jorge N. (Centro de Nanociencias y Nanotecnologia, Universidad Nacional Autonoma de Mexico, Km 107 Carretera Tijuana-Ensenada, C.P. 22800, Ensenada, Baja California, Mexico) ,  Herrera Manuel (Centro de Nanociencias y Nanotecnologia, Universidad Nacional Autonoma de Mexico, Km 107 Carretera Tijuana-Ensenada, C.P. 22800, Ensenada, Baja California, Mexico) ,  Graeve Olivia A. (Department of Mechanical and Aerospace Engineering, University of California, San Diego, 9500 Gilman Drive - MC 0411, La Jolla, CA 92093-0411, USA)
資料名： Acta Materialia  (Acta Materialia)
巻： 135  ページ： 35-43  発行年： 2017年 
JST資料番号： A0316A  ISSN： 1359-6454  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： ヒドロキシアパタイト(HAp)粉末におけるYb~3+ドーパントイオンのYb~2+および配置内遷移の配置間遷移の陰極線ルミネセンス(CL)研究を提示した。著者らの結果は,HAp格子に存在する強い電場は,イッテルビウムイオンの電子配置の多様体レベルを誘導し,4F~135D~1軌道の分裂に起因することを示した。Yb~2+のCLスペクトルは,3.27;2.98;2.85;2.53;2.27;2.09;1.63eVに中心を持つ一連の鋭いピークを示し,Yb~二四F~135D~1配置の正八面体結晶場の三方晶変形によって生成される複数の準位間の遷移に対応した。Yb~3+のCLスペクトルは1.17と1.21と1.24と1.27eVに中心を持つ四放出,Yb~3+イオンの~2F_5/2と~2F_7/2状態間の配置内遷移によって発生したを示した。二種類の試料を異なるpH値で合成したイッテルビウムイオンの原子価の変化をもたらした,Yb~2+/Yb~3+の比はpH値6と4で合成し焼成した粉末で0.31と0.55であったように,X線光電子分光法から決定した。二試料の赤外CL画像は,粉末中のYb~3+ドーパントの不均一な空間分布を示した。873K酸素雰囲気で,試料の熱処理は,Yb~3+へのYb~2+の酸化によるYb~2+発光の消光をもたらした。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： 粉体 ,  発光 ,  三方晶系 ,  電場 ,  ドーパント ,  スペクトル ,  *ヒドロキシアパタイト ,  原子価 ,  空間分布 ,  八面体 ,  *陰極線ルミネセンス ,  X線光電子分光法 ,  電子配置 ,  結晶場
準シソーラス用語： イッテルビウムイオン , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (5件)： ヒドロキシアパタイト ,  イッテルビウム ,  陰極線ルミネセンス ,  配置間遷移 ,  配置内遷移

分類 (1件)： セラミック・磁器の性質  (YC03030G)

タイトルに関連する用語 (5件)： ヒドロキシアパタイト ,  イオン ,  遷移 ,  陰極線ルミネセンス ,  研究