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J-GLOBAL ID：201702218925644278   整理番号：17A1485924

Si(100)上のW/TiNスタックにおける高分解能残留応力勾配特性化W底層における面内応力及び結晶粒度分布との相関【Powered by NICT】

High resolution residual stress gradient characterization in W/TiN-stack on Si(100): Correlating in-plane stress and grain size distributions in W sublayer

著者 (7件)： Hammer Rene (Materials Center Leoben Forschung GmbH, Roseggerstrasse 12, 8700 Leoben, Austria) ,  Todt Juraj (Erich Schmid Institute of Materials Science, Jahnstrasse 12, 8700 Leoben, Austria) ,  Keckes Jozef (Montanuniversitaet Leoben, Franz-Josef-Strasse 18, 8700 Leoben, Austria) ,  Sartory Bernhard (Materials Center Leoben Forschung GmbH, Roseggerstrasse 12, 8700 Leoben, Austria) ,  Parteder Georg (AMS AG, Tobelbader Strasse 30, 8141 Unterpremstaetten, Austria) ,  Kraft Jochen (AMS AG, Tobelbader Strasse 30, 8141 Unterpremstaetten, Austria) ,  Defregger Stefan (Materials Center Leoben Forschung GmbH, Roseggerstrasse 12, 8700 Leoben, Austria)
資料名： Materials & Design  (Materials & Design)
巻： 132  ページ： 72-78  発行年： 2017年 
JST資料番号： A0495B  ISSN： 0264-1275  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 10nmの粉砕段階を用いたイオンビーム層除去法(ILR)による残留応力勾配の特性評価には熱SiO_2~絶縁標準シリコンウエハ上に加工されたW/TiNスタックに適用した。応力プロファイルは高い引張と顕著な応力勾配だけでなく,多結晶Wと非晶質TiN層3.5と 4GPaの範囲で圧縮応力集中を示した。電子後方散乱回折はWサブ層はTiNに界面での核形成領域中のナノサイズ微結晶のゾーンT微細構造を示し,競合的結晶粒成長のための典型的な柱状またはV字形粒子形態よりも示した。Wサブ層では,応力分布はHall-Petch機構を基にこの面内結晶サイズ分布と良く相関し,核形成層の間の遷移領域と柱状微細構造を持つ領域に引張最大に達した。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： 結晶成長 ,  *粒度分布 ,  核形成 ,  引張 ,  *残留応力 ,  応力分布 ,  圧縮応力 ,  *結晶粒度 ,  *キャラクタリゼーション ,  微細構造 ,  多結晶 ,  界面
準シソーラス用語： EBSD ,  *応力勾配 ,  *窒化チタン , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (6件)： イオンビーム層の除去 ,  残留応力プロファイル ,  粒度分布 ,  ナノ結晶 ,  タングステン薄膜 ,  Hall-Petch

分類 (1件)： 機械的性質  (WB02030U)

タイトルに関連する用語 (12件)： Si ,  TiN ,  スタック ,  高分解能 ,  残留 ,  応力勾配 ,  特性化 ,  底層 ,  面内応力 ,  結晶粒度 ,  分布 ,  相関