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J-GLOBAL ID：201702218927384055   整理番号：17A1775710

アクティブISFETセンサ読出し回路【Powered by NICT】

Active ISFET sensor readout circuit

著者 (4件)： Furtado da Silva Luciano Lourenco (Graduate Program in Electrical Engineering - Department of Electronics and Computation, Federal University of Amazonas, Manaus, AM, Brazil) ,  Silveira Felipe (Federal Institute of Amazonas, Manaus, AM, Brazil) ,  de Moraes Cruz Carlos Augusto (Graduate Program in Electrical Engineering - Department of Electronics and Computation, Federal University of Amazonas, Manaus, AM, Brazil) ,  Daniel de Oliveira Moura Thiago (Graduate Program in Electrical Engineering - Department of Electrical Engineering - Federal University of Minas Gerais, Belo Horizonte, MG, Brazil)
資料名： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)
巻： 2017  号： INSCIT  ページ： 1-5  発行年： 2017年 
JST資料番号： W2441A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： イオン感応性電界効果トランジスタ(ISFET)のための改良された読出し回路界面は本研究で提案した。文献に見られる従来のトポロジーと比較した場合,提案したISFET読出し回路は少なくとも二つの利点を提示した。最初の過程は新しい回路トポロジーの単純さに関連しており,第二の方法は,センサ出力信号に与える付加的な利得である。電気ISFETモデルと統合された提案した読出し回路の性能はBSIM3v3シミュレーションにより調べた。従来ISFET読出しトポロジーは電気ISFET出力信号利得を与えるには見られない,センサ出力信号はNernst Sモデルにより予測されたその限界を持っている。シミュレーション結果は,提案したISFET読出し回路トポロジーはセンサ出力信号の感度を三倍までNernst限界に追加の利得を与えることを示した。Copyright 2017 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： シミュレーション ,  利得 ,  *センサ ,  位相幾何学 ,  界面 ,  *ISFET
準シソーラス用語： *読出し ,  出力信号 ,  回路トポロジー ,  イオン感応性FET ,  *読出回路 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (2件)： トランジスタ  (NC03070N) ,  分析機器  (CC02020S)

タイトルに関連する用語 (2件)： ISFET ,  読出し回路