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J-GLOBAL ID：201702218951955688   整理番号：17A1499318

熱蒸着したCu_0 5Ag_0 5InSe_2薄膜の光学的および電気的特性【Powered by NICT】

Optical and electrical characteristics of thermally evaporated Cu_0.5Ag_0.5InSe₂ thin films

著者 (7件)： Guellue H.H. (Centeral Laboratory METU, Ankara 06800, Turkey) ,  Guellue H.H. (Center for Solar Energy Research and Applications (GUENAM), METU, Ankara 06800, Turkey) ,  Bayrakli OE. (Center for Solar Energy Research and Applications (GUENAM), METU, Ankara 06800, Turkey) ,  Bayrakli OE. (Department of Physics, Middle East Technical University (METU), 06800 Ankara, Turkey) ,  Bayrakli OE. (Department of Physics, Ahi Evran University, 40100 Kirsehir, Turkey) ,  Parlak M. (Center for Solar Energy Research and Applications (GUENAM), METU, Ankara 06800, Turkey) ,  Parlak M. (Department of Physics, Middle East Technical University (METU), 06800 Ankara, Turkey)
資料名： Thin Solid Films  (Thin Solid Films)
巻： 639  ページ： 29-35  発行年： 2017年 
JST資料番号： B0899A  ISSN： 0040-6090  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本研究では,Cu_0 5Ag_0 5InSe_2(CAIS)多結晶薄膜の光学的および電気的特性を調べた。は200°Cの基板温度での物理的熱蒸着法を用いて純元素源の蒸発とソーダ石灰ガラス基板上に堆積した。薄膜を初めて成長させたままの形で特性化し,それらの構造変化に関連した堆積した薄膜の光学的および電気的性質に及ぼす焼なましの影響を推定するために窒素雰囲気下でアニールした。事実,CAIS薄膜のこれらの材料特性をアニーリング温度の関数として透過,Hall効果,温度依存暗伝導度と光伝導度測定を実行することによって研究した。光学解析から,バンドギャップエネルギーは成長したままの膜とアニールした膜のための1.44と1.51eVの間であった。電気伝導率の分析は,膜の電気的性質は低温領域で室温以上で可変領域ホッピングと熱電子放出伝導機構に依存することを示した。種々の照明強度下で,CAIS膜試料の光伝導特性は二中心モデルを考慮して分析した。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： *電気的性質 ,  熱電子放出 ,  温度依存性 ,  キャラクタリゼーション ,  バンドギャップ ,  電気伝導率 ,  暗伝導 ,  *真空蒸着 ,  基板温度 ,  焼なまし ,  *薄膜 ,  Hall効果 ,  ソーダ石灰ガラス ,  光伝導
準シソーラス用語： 可変領域ホッピング , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (4件)： 薄膜 ,  アニーリング ,  バンドギャップ ,  電気伝導率

分類 (4件)： 半導体薄膜  (BK14040E) ,  半導体結晶の電気伝導  (BM03043X) ,  光物性一般  (BM08010A) ,  酸化物薄膜  (BK14050P)

タイトルに関連する用語 (4件)： 熱蒸着 ,  薄膜 ,  光学 ,  電気的特性