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J-GLOBAL ID：201702219018672598   整理番号：17A0988023

調節可能な両極性特性を有する高移動度2次元パラジウム二セレン化電界効果トランジスタ【Powered by NICT】

High Mobility 2D Palladium Diselenide Field-Effect Transistors with Tunable Ambipolar Characteristics

著者 (26件)： Chow Wai Leong (Centre for Micro-/Nano-electronics (NOVITAS), School of Electrical and Electronic Engineering, Nanyang Technological University, 50 Nanyang Avenue, Singapore, 639798, Singapore) ,  Chow Wai Leong (CINTRA UMI CNRS/NTU/THALES, Singapore, 637553, Singapore) ,  Yu Peng (Centre for Programmed Materials, School of Materials Science and Engineering, Nanyang Technological University, 50 Nanyang Avenue, Singapore, 639798, Singapore) ,  Liu Fucai (Centre for Programmed Materials, School of Materials Science and Engineering, Nanyang Technological University, 50 Nanyang Avenue, Singapore, 639798, Singapore) ,  Hong Jinhua (State Key Laboratory of Silicon Materials, School of Materials Science and Engineering, Zhejiang University, Hangzhou, Zhejiang, 310027, P. R. China) ,  Wang Xingli (Centre for Micro-/Nano-electronics (NOVITAS), School of Electrical and Electronic Engineering, Nanyang Technological University, 50 Nanyang Avenue, Singapore, 639798, Singapore) ,  Wang Xingli (CINTRA UMI CNRS/NTU/THALES, Singapore, 637553, Singapore) ,  Wang Xingli (State Key Laboratory of Silicon Materials, School of Materials Science and Engineering, Zhejiang University, Hangzhou, Zhejiang, 310027, P. R. China) ,  Zeng Qingsheng (Centre for Programmed Materials, School of Materials Science and Engineering, Nanyang Technological University, 50 Nanyang Avenue, Singapore, 639798, Singapore) ,  Hsu Chuang-Han (Department of Physics, National University of Singapore, Singapore, 117542, Singapore) ,  Zhu Chao (Centre for Programmed Materials, School of Materials Science and Engineering, Nanyang Technological University, 50 Nanyang Avenue, Singapore, 639798, Singapore) ,  Zhou Jiadong (State Key Laboratory of Silicon Materials, School of Materials Science and Engineering, Zhejiang University, Hangzhou, Zhejiang, 310027, P. R. China) ,  Wang Xiaowei (State Key Laboratory of Silicon Materials, School of Materials Science and Engineering, Zhejiang University, Hangzhou, Zhejiang, 310027, P. R. China) ,  Xia Juan (School of Physical and Mathematical Sciences, Nanyang Technological University, 21 Nanyang Link, Singapore, 639798, Singapore) ,  Yan Jiaxu (School of Physical and Mathematical Sciences, Nanyang Technological University, 21 Nanyang Link, Singapore, 639798, Singapore) ,  Chen Yu (School of Physical and Mathematical Sciences, Nanyang Technological University, 21 Nanyang Link, Singapore, 639798, Singapore) ,  Wu Di (Department of Physics, National University of Singapore, Singapore, 117542, Singapore) ,  Yu Ting (School of Physical and Mathematical Sciences, Nanyang Technological University, 21 Nanyang Link, Singapore, 639798, Singapore) ,  Shen Zexiang (CINTRA UMI CNRS/NTU/THALES, Singapore, 637553, Singapore) ,  Shen Zexiang (School of Physical and Mathematical Sciences, Nanyang Technological University, 21 Nanyang Link, Singapore, 639798, Singapore) ,  Lin Hsin (Department of Physics, National University of Singapore, Singapore, 117542, Singapore) ,  Jin Chuanhong (State Key Laboratory of Silicon Materials, School of Materials Science and Engineering, Zhejiang University, Hangzhou, Zhejiang, 310027, P. R. China) ,  Tay Beng Kang (Centre for Micro-/Nano-electronics (NOVITAS), School of Electrical and Electronic Engineering, Nanyang Technological University, 50 Nanyang Avenue, Singapore, 639798, Singapore) ,  Tay Beng Kang (CINTRA UMI CNRS/NTU/THALES, Singapore, 637553, Singapore) ,  Liu Zheng (CINTRA UMI CNRS/NTU/THALES, Singapore, 637553, Singapore) ,  Liu Zheng (Centre for Programmed Materials, School of Materials Science and Engineering, Nanyang Technological University, 50 Nanyang Avenue, Singapore, 639798, Singapore)
資料名： Advanced Materials  (Advanced Materials)
巻： 29  号： 21  ページ： ROMBUNNO.201602969  発行年： 2017年 
JST資料番号： W0001A  ISSN： 0935-9648  CODEN： ADVMEW  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： ドイツ (DEU)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 興味ある光学的および電子的特性のために,2D材料は,電子や光電子工学応用のための多くの関心を集めている。新しい有望な2D材料の同定次世代2Dエレクトロニクスの開発に向けた賞であろう。貴遷移金属ジカルコゲン化物(TMDC),パラジウム二セレン化(PdSe_2)は有望な高移動度2D材料急速に成長する2Dコミュニティにとして導入した。超薄PdSe_2に基づく電界効果トランジスタ(FET)は固有の両極性特性を示した。FETの極性を調整できた。真空アニーリング後,著者らはPdSe_2は10~3までの高移動度(μ_e(max)=216cm~2V~ 1s~ 1),オン/オフ比を持つ電子が支配的な輸送を示すことが分かった。正孔支配輸送PdSe_2はF_4TCNQを用いた分子ドーピングによって得ることができる。PdSe_2についての本先駆的研究は希TMDCの検討されていない領域への関心を刺激する。Copyright 2017 Wiley Publishing Japan K.K. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： *極性 ,  焼なまし ,  高速度 ,  *二次元 ,  正孔 ,  オプトエレクトロニクス ,  コミュニティ ,  *FET【トランジスタ】 ,  電子技術
準シソーラス用語： *高移動度 ,  *セレン化反応 ,  *両極性 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (5件)： 2D材料 ,  両極性 ,  電界効果トランジスタ ,  高移動度 ,  パラジウム二セレン化

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (7件)： 調節 ,  両極性 ,  高移動度 ,  2次元 ,  パラジウム ,  セレン化 ,  電界効果トランジスタ