文献
J-GLOBAL ID:201702219160669805   整理番号:17A1506277

Ti基板上のPZT/BST多層薄膜の改善された誘電同調性【Powered by NICT】

Improved dielectric tunability of PZT/BST multilayer thin films on Ti substrates
著者 (6件):
資料名:
巻: 725  ページ: 54-59  発行年: 2017年 
JST資料番号: D0083A  ISSN: 0925-8388  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: オランダ (NLD)  言語: 英語 (EN)
抄録/ポイント:
抄録/ポイント
文献の概要を数百字程度の日本語でまとめたものです。
部分表示の続きは、JDreamⅢ(有料)でご覧頂けます。
J-GLOBALでは書誌(タイトル、著者名等)登載から半年以上経過後に表示されますが、医療系文献の場合はMyJ-GLOBALでのログインが必要です。
LaNiO_3緩衝Ti基板上にPbZr_0 2Ti_0 8O_3/Ba_0 6Sr_0 4TiO_3(PZT/BST)多層薄膜をゾル-ゲル法により作製した。結果は,PZT/BST膜の相構造における正方晶PZT相と立方晶BST相であることを示した。小さな粒径を有するこれらの膜は,また,増強された誘電温度安定性と減少した漏れ電流密度を示した。誘電異常は,このPZT/BST多層膜で見られ:BST膜の厚さ含有量が50%のとき,それぞれ誘電率及び同調率の最大値は501と41.1%(400 kV/cm)に達した。誘電率(TCP)の対応する温度係数は 2.7×10~ 4/°Cであった。さらに,そのようなPZT/BST薄膜の誘電定数と可同調性は現象論的理論により計算した。誘電率及び同調率の実験データは完全な静電結合の計算結果の間での誘電異常は,静電結合に起因し,部分結合は作製した膜で起こることを示した。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】
シソーラス用語:
シソーラス用語/準シソーラス用語
文献のテーマを表すキーワードです。
部分表示の続きはJDreamⅢ(有料)でご覧いただけます。
J-GLOBALでは書誌(タイトル、著者名等)登載から半年以上経過後に表示されますが、医療系文献の場合はMyJ-GLOBALでのログインが必要です。

準シソーラス用語:
シソーラス用語/準シソーラス用語
文献のテーマを表すキーワードです。
部分表示の続きはJDreamⅢ(有料)でご覧いただけます。
J-GLOBALでは書誌(タイトル、著者名等)登載から半年以上経過後に表示されますが、医療系文献の場合はMyJ-GLOBALでのログインが必要です。
, 【Automatic Indexing@JST】
分類 (4件):
分類
JSTが定めた文献の分類名称とコードです
酸化物薄膜  ,  酸化物結晶の磁性  ,  強誘電体,反強誘電体,強弾性  ,  セラミック・磁器の性質 
タイトルに関連する用語 (5件):
タイトルに関連する用語
J-GLOBALで独自に切り出した文献タイトルの用語をもとにしたキーワードです

前のページに戻る