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J-GLOBAL ID：201702219182863456   整理番号：17A1506064

りん化カドミウム中の陽イオンと陰イオン空格子点:NIRからVIS,IRおよびRaman研究【Powered by NICT】

The cation and the anion vacancies in cadmium diphosphide: A NIR-VIS, IR, and Raman study

著者 (1件)： Shportko K.V. (V.E. Lashkaryov Institute for Semiconductor Physics of NAS of Ukraine, 41 Nauki Av., Kyiv 03028, Ukraine)
資料名： Vibrational Spectroscopy  (Vibrational Spectroscopy)
巻： 92  ページ： 230-233  発行年： 2017年 
JST資料番号： W0097A  ISSN： 0924-2031  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本研究はオプトエレクトロニクスおよび光起電力応用に有望であることを正方晶二りん化カドミウムの性質に及ぼすカドミウムとりん空格子点の影響を研究した。NIR VIS透過率,赤外反射率,とRaman散乱測定の得られた結果は,リンとカドミウム空格子点は,二りん化カドミウムの光学的および振動的性質の設計のための豊富な場を提供することを示した。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： オプトエレクトロニクス ,  透過率 ,  光起電力 ,  *カチオン ,  正方晶系 ,  Raman散乱 ,  *アニオン ,  *カドミウム ,  *リン
準シソーラス用語： 赤外反射 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (4件)： カドミウム二りん化 ,  空格子点 ,  光バンドギャップ ,  Phonons

分類 (2件)： 半導体の格子欠陥  (BK12040Q) ,  半導体のルミネセンス  (BM08092S)

タイトルに関連する用語 (7件)： りん ,  カドミウム ,  陽イオン ,  陰イオン ,  空格子点 ,  Ir ,  研究