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J-GLOBAL ID：201702219203778829   整理番号：17A1607126

原料ガス断続供給法を用いて異なる成長温度で作製したGaAsナノワイヤの発光特性

Growth Temperature Dependence of Optical Properties in GaAs Nanowires Grown by Pulsed-jet Gas Epitaxy

著者 (4件)： 仲川豪志 (宮崎大) ,  前田幸治 (宮崎大) ,  鈴木秀俊 (宮崎大) ,  境健太郎 (宮崎大)
資料名： 宮崎大学工学部紀要(Web)  (Memoirs of Faculty of Engineering, University of Miyazaki (Web))
号： 46  ページ： 109-112 (WEB ONLY)  発行年： 2017年07月31日 
JST資料番号： U0521A  ISSN： 0540-4924  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： ・原料ガス断続供給法は原料ガスを交互に供給することで,異種原料間の衝突による拡散長の低下を抑制する特徴を持ち,同時供給する成長法と比べ高品質なナノワイヤ(NW)作製が可能。
・成長温度を変化させ作製したNWの発光特性から結晶性を評価し,最適な作製条件を検討。
・発光特性を調べるために光ルミネセンス(PL)法を使用。
・530~550°Cで観測されるピークは原料に含まれる炭素が不純物として結晶中に取り込まれたことに起因。
・530°CのNWで観測される1.515eV付近のショルダーはGaAsの自由励起子発光と同定。
・530°Cで作製したNWが最も結晶性が良いと判断。

シソーラス用語： *ナノワイヤ ,  *ヒ化ガリウム ,  温度 ,  *光ルミネセンス ,  *原子層エピタクシー ,  噴流 ,  *VLS成長 ,  励起子
準シソーラス用語： 成長温度 ,  パルスジェット ,  *原料ガス断続供給法 ,  自由励起子

分類 (1件)： 半導体のルミネセンス  (BM08092S)

タイトルに関連する用語 (6件)： 原料ガス ,  成長温度 ,  作製 ,  GaAs ,  ナノワイヤ ,  発光特性