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J-GLOBAL ID:201702219289606755   整理番号:17A1422729

原子層蒸着によるポリイミド中のイオン飛跡構造への薄膜成長【Powered by NICT】

Thin film growth into the ion track structures in polyimide by atomic layer deposition
著者 (4件):
資料名:
巻: 406  号: PA  ページ: 156-160  発行年: 2017年 
JST資料番号: H0899A  ISSN: 0168-583X  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: オランダ (NLD)  言語: 英語 (EN)
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制御可能な細孔径と硬い基板なしで高アスペクト比の多孔質構造はイオン飛跡技術を用いて作製することができた。原子層堆積は膜の高共形性による複雑な3D構造上の薄膜と機能性表面を堆積するための理想的な方法である。本研究では,著者らは,元のポリイミド(カプトンHN)膜上にA LDにより成長させたAl_2O_3とTiO_2膜だけでなく,RBS,PIXE,SEM-EDXおよびヘリウムイオン顕微鏡(HIM)を用いて次亜塩素酸ナトリウム(NaOCl)とホウ酸(BO_3)溶液中でエッチングしたポリイミド膜を研究した。焦点は最初のA LD成長サイクルであった。400サイクル試料におけるAl_2O_3膜の面密度は51±3×10~16at./cm~2であると決定され,55±3nmの厚さに相当する。さらに,サイクル当たりの成長は1.4Å/サイクルであった。成長は最初のサイクルからの高度に線形であった。TiO_2の場合,サイクル当たりの成長は最初の200サイクルの間,明らかに遅いが,著しく増加した。RBS測定に基づく成長率は3 200サイクルから0.24Å/サイクル,次に200~400サイクルの間で0.6Å/サイクルである。400サイクル後TiO_2膜の最終面密度は17.4±0.4nmの厚さに対応する148±3×10~15at./cm~2である。堆積前にエッチングによるポリイミド表面の修飾はAl_2O_3とTiO_2成長に影響を及ぼさなかった。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】
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その他の物質の放射線による構造と物性の変化 
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