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J-GLOBAL ID：201702219307799422   整理番号：17A1546184

半極性(112 2)面p-AlGaN膜の特性に及ぼすMgドーピングの影響【Powered by NICT】

Effects of Mg-doping on characteristics of semi-polar ( 1 1 2 2 ) plane p-AlGaN films

著者 (7件)： Dai Qian (Advanced Photonics Center, Southeast University, Nanjing 210096, Jiangsu, China) ,  Zhang Xiong (Advanced Photonics Center, Southeast University, Nanjing 210096, Jiangsu, China) ,  Wu Zili (Advanced Photonics Center, Southeast University, Nanjing 210096, Jiangsu, China) ,  Yang Gang (Advanced Photonics Center, Southeast University, Nanjing 210096, Jiangsu, China) ,  Liang Zongwen (Advanced Photonics Center, Southeast University, Nanjing 210096, Jiangsu, China) ,  Zhao Jianguo (Advanced Photonics Center, Southeast University, Nanjing 210096, Jiangsu, China) ,  Cui Yiping (Advanced Photonics Center, Southeast University, Nanjing 210096, Jiangsu, China)
資料名： Materials Letters  (Materials Letters)
巻： 209  ページ： 472-475  発行年： 2017年 
JST資料番号： E0935A  ISSN： 0167-577X  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 有機金属化学気相成長法(MOCVD)法を用いた(101 0)m面サファイア基板上に成長させた半極性(112 2)面Al_0 15Ga_0 0.85N膜の特性に及ぼすMgドーピングの影響を集中的に系統的に調べた。キャラクタリゼーションの結果によると(112 2)面AlGaN膜の結晶品質はMgデルタドーピングプロセスを最適化することによって改良できることを示した。が,試料の表面形態は,Mgドーピングレベルの増加とともに劣化した単調であった。一方,5.4×10~17cm~ 3と高い正孔濃度はMgドーピングレベルを最適化することによって達成された。さらに,試料のルミネセンス機構を室温での光ルミネセンススペクトルにより調べた。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： *マグネシウム ,  キャラクタリゼーション ,  ルミネセンス ,  MOCVD ,  最適化
準シソーラス用語： 光ルミネセンススペクトル ,  正孔濃度 ,  表面形態 ,  結晶品質 ,  サファイア基板 ,  *窒化アルミニウムガリウム ,  *半極性 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (4件)： 半極性(112 2)面AlGaN ,  Mgドーピング ,  正孔濃度 ,  MOCVD

分類 (2件)： 炭素とその化合物  (YB02060D) ,  セラミック・陶磁器の製造  (YC03020V)

タイトルに関連する用語 (4件)： 半極性 ,  AlGaN ,  Mg ,  ドーピング