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J-GLOBAL ID：201702219336598406   整理番号：17A0943178

トンネルFETに基づく超低漏れコンパクト2T1C SRAM【Powered by NICT】

Tunnel FET based ultra-low-leakage compact 2T1C SRAM

著者 (5件)： Gupta Navneet (MINARC Laboratory, Institut Superieur d’Electronique de Paris (ISEP) France) ,  Makosiej Adam (LETI, Commissariat a` l’Energie Atomique et aux Energies Alternatives (CEA-LETI) France) ,  Vladimirescu Andrei (MINARC Laboratory, Institut Superieur d’Electronique de Paris (ISEP) France) ,  Amara Amara (MINARC Laboratory, Institut Superieur d’Electronique de Paris (ISEP) France) ,  Anghel Costin (MINARC Laboratory, Institut Superieur d’Electronique de Paris (ISEP) France)
資料名： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)
巻： 2017  号： ISQED  ページ： 71-75  発行年： 2017年 
JST資料番号： W2441A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本論文では,超低漏れ2T1CコンパクトSRAMは,トンネルFET(TFET)を提案した。提案した設計は,1T1Cラッチを実現するためのTFETとキャパシタ漏れの負性微分抵抗特性を利用した。追加1T読出しポートによる読み出し時データ安定性の問題を避けるために読むための追加した。提案されたSRAM設計がスケーラブルであり,低い技術ノードのための適用が容易である。1fA/bit以下の超低漏れは,提案した設計で達成された。サブ2nsとサブ4nsの読取と書込サイクル時間を設計した。Copyright 2017 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： ポート ,  *SRAM ,  コンデンサ
準シソーラス用語： サイクルタイム ,  負性微分抵抗 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (2件)： トンネルFET ,  SRAM