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J-GLOBAL ID：201702219434000589   整理番号：17A0325973

2,6-ビス(4-メトキシフェニル)アントラセンに基づく高移動度を持つ単結晶FETの面内等方性電荷輸送特性:実験的兼理論的評価【Powered by NICT】

In-plane isotropic charge transport characteristics of single-crystal FETs with high mobility based on 2,6-bis(4-methoxyphenyl)anthracene: experimental cum theoretical assessment

著者 (8件)： Li Aiyuan (School of Advanced Materials, Peking University Shenzhen Graduate School, Peking University, Shenzhen, 518055, China. [e-mail] [e-mail]) ,  Yan Lijia ,  He Chao ,  Zhu Yanan ,  Zhang Dongwei ,  Murtaza Imran ,  Meng Hong ,  Goto Osamu
資料名： Journal of Materials Chemistry C. Materials for Optical, Magnetic and Electronic Devices  (Journal of Materials Chemistry C. Materials for Optical, Magnetic and Electronic Devices)
巻： 5  号： 2  ページ： 370-375  発行年： 2017年 
JST資料番号： W2383A  ISSN： 2050-7526  CODEN： JMCCCX  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 結晶方位に依存しなかったので単結晶における面内等方性電荷輸送は,大面積単結晶薄膜トランジスタ(FET)アレイのが望ましい。しかし,大部分の有機半導体は異方性電荷輸送を示したが,ほんの僅かなものが等方性または中等度等方性電荷輸送特性を示した。は高度に等方性電荷輸送半導体材料,2,6-ビス(4-メトキシフェニル)アントラセン(BOPAnt)を報告し,高移動度13 16cm~2V~ 1S~ 1と約1.23の異方性移動度比(μ_max/μ_min)BOPAntベース単結晶FETが,報告された最低値を示した。BOPAntの単結晶構造を用いて,単結晶薄膜における分子格子パラメータの長方形回折パターンを透過型電子顕微鏡と偏光光学顕微鏡により分析した。高度に等方性はメトキシフェニル単位の導入による分子構造強化に起因している解析は固体状態で斜方晶格子配列を明らかにし,この特定のスタッキングモードの異常な様式で充填された分子であった。さらに,移動積分及び再構成エネルギーを組合せた正孔移動度計算を用いて,電荷輸送特性を説明した。Copyright 2017 Royal Society of Chemistry All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： *移動度 ,  透過型電子顕微鏡 ,  有機半導体 ,  固相 ,  結晶方位 ,  偏光 ,  *単結晶 ,  斜方晶系 ,  格子定数 ,  薄膜トランジスタ ,  半導体材料 ,  *等方性
準シソーラス用語： 正孔移動度 ,  *電荷輸送 ,  *高移動度 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (2件)： トランジスタ  (NC03070N) ,  四環以上の炭素縮合多環化合物  (CF06090C)

タイトルに関連する用語 (11件)： ビス ,  アントラセン ,  高移動度 ,  単結晶 ,  FET ,  等方性 ,  電荷 ,  輸送特性 ,  実験 ,  理論 ,  評価