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J-GLOBAL ID：201702219451247826   整理番号：17A0780957

リソグラフィを使わない技術で制作した自己触媒GaAsナノワイヤ均一集合の構造研究

Structural Investigation of Uniform Ensembles of Self- Catalyzed GaAs Nanowires Fabricated by a Lithography- Free Technique

著者 (3件)： KOIVUSALO Eero (Tampere Univ. Technol.) ,  HAKKARAINEN Teemu (Tampere Univ. Technol.) ,  GUINA Mircea (Tampere Univ. Technol.)
資料名： Nanoscale Research Letters (Web)  (Nanoscale Research Letters (Web))
巻： 12  号： 1  ページ： 12:192 (WEB ONLY)  発行年： 2017年12月 
JST資料番号： U7001A  ISSN： 1931-7573  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： リソグラフィを使わない酸化物パターン上に成長させた自己触媒ナノワイヤ(NW)の構造解析を成長動力学の観点で記述した。異なる成長相におけるテンプレートとNWの統計的解析は,均一な核形成サイト,NWの二次核形成がないこと,核形成アンチバンチング効果の下での自己調節成長の組み合わせによる非常に高次の均一性を明らかにした。結果として,サブPoisson GaAs NW長分布の最初の証拠を見た。NWの高純度の相を相補型透過電子顕微鏡(TEM)と高分解能X線回折(HR-XRD)を使って示した。NWは長さ2μmのツインフリー閃亜鉛部分までの長い領域で欠陥が無いが,低温マイクロルミネセンススペクトルで構造的に不整な部分の比率を分光特性で検出できることも分かった。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： *ナノワイヤ ,  MBE成長 ,  *微細構造 ,  リソグラフィー ,  触媒 ,  核形成 ,  光子相関 ,  光学的性質 ,  特性 ,  透過型電子顕微鏡 ,  X線回折 ,  画像 ,  分布 ,  発光スペクトル ,  *ヒ化ガリウム
準シソーラス用語： GaAs ,  SEM画像 ,  アンチバンチング ,  サイズ分布 ,  ルミネセンススペクトル ,  *自己触媒 ,  透過電子顕微鏡 ,  分光特性 ,  分子線エピタクシー

分類 (1件)： 固体デバイス材料  (NC03020K)

タイトルに関連する用語 (7件)： リソグラフィ ,  制作 ,  自己触媒 ,  GaAs ,  ナノワイヤ ,  集合 ,  研究