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J-GLOBAL ID：201702219458518520   整理番号：17A1459918

MnGaにおける異常H all効果におけるスピン無秩序効果【Powered by NICT】

Spin disorder effect in anomalous Hall effect in MnGa

著者 (4件)： Mendonca A.P.A. (Laboratorio de Nanoestruturas para Sensores, Departamento de Fisica, Universidade Federal do Parana, Caixa Postal 19044, 81531-990 Curitiba, Parana, Brazil) ,  Varalda J. (Laboratorio de Nanoestruturas para Sensores, Departamento de Fisica, Universidade Federal do Parana, Caixa Postal 19044, 81531-990 Curitiba, Parana, Brazil) ,  Schreiner W.H. (Laboratorio de Nanoestruturas para Sensores, Departamento de Fisica, Universidade Federal do Parana, Caixa Postal 19044, 81531-990 Curitiba, Parana, Brazil) ,  Mosca D.H. (Laboratorio de Nanoestruturas para Sensores, Departamento de Fisica, Universidade Federal do Parana, Caixa Postal 19044, 81531-990 Curitiba, Parana, Brazil)
資料名： Journal of Magnetism and Magnetic Materials  (Journal of Magnetism and Magnetic Materials)
巻： 443  ページ： 165-170  発行年： 2017年 
JST資料番号： H0644A  ISSN： 0304-8853  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： GaAs基板上に分子ビームエピタクシーにより成長させたMnGa薄膜における抵抗率とH all効果について報告した。L1_0構造を持つ高度に(111)組織化したMnGa膜は室温でのHall伝導率に寄与する20kOeとスピン障害機序と高い保磁力を持つ硬磁性特性を示した。密度汎関数理論計算は,低温度で測定された値に匹敵する127(Ωcm)~ 1の異常H all伝導率を生じることをカイラルスピン構造を持つ運動量空間における固有Berry曲率を決定した。残留とサイドジャンプ寄与,熱活性化により増強されるに加えて,異常H all伝導率とH all角の両方は100Kと室温の間で増加した。本結果をHall効果に基づくスピントロニクスデバイスを開発するためのMn-Gaシステムの可能性を強化する。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： 薄膜 ,  電気抵抗率 ,  *Hall効果 ,  低温 ,  MBE成長 ,  保磁力
準シソーラス用語： 熱活性化 ,  運動量空間 ,  スピン構造 ,  キラリティ ,  伝導率 ,  密度汎関数計算 ,  硬磁性 ,  Hall導電率 ,  GaAs基板 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (4件)： Mn-Ga合金 ,  異常H all効果 ,  スピン依存散乱 ,  Berry曲率

分類 (2件)： 金属結晶の電子伝導  (BM03033M) ,  金属結晶の磁性  (BM06040T)

タイトルに関連する用語 (3件)： ALL ,  スピン ,  無秩序