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J-GLOBAL ID：201702219487021618   整理番号：17A1967756

透明Cu_4O_3/ZnOヘテロ接合光電素子【Powered by NICT】

Transparent Cu₄O₃/ZnO heterojunction photoelectric devices

著者 (11件)： Kim Hong-Sik (Photoelectric and Energy Device Application Lab (PEDAL), Multidisciplinary Core Institute for Future Energies (MCIFE), Incheon National University, 119 Academy Rd. Yeonsu, Incheon, 406772, Republic of Korea) ,  Kim Hong-Sik (Department of Electrical Engineering, Incheon National University, 119 Academy Rd. Yeonsu, Incheon, 406772, Republic of Korea) ,  Yadav Pankaj (Photoelectric and Energy Device Application Lab (PEDAL), Multidisciplinary Core Institute for Future Energies (MCIFE), Incheon National University, 119 Academy Rd. Yeonsu, Incheon, 406772, Republic of Korea) ,  Yadav Pankaj (Department of Solar Energy, School of Technology, Pandit Deendayal Petroleum University, Gandhinagar 382007, India) ,  Patel Malkeshkumar (Photoelectric and Energy Device Application Lab (PEDAL), Multidisciplinary Core Institute for Future Energies (MCIFE), Incheon National University, 119 Academy Rd. Yeonsu, Incheon, 406772, Republic of Korea) ,  Patel Malkeshkumar (Department of Electrical Engineering, Incheon National University, 119 Academy Rd. Yeonsu, Incheon, 406772, Republic of Korea) ,  Kim Joondong (Photoelectric and Energy Device Application Lab (PEDAL), Multidisciplinary Core Institute for Future Energies (MCIFE), Incheon National University, 119 Academy Rd. Yeonsu, Incheon, 406772, Republic of Korea) ,  Kim Joondong (Department of Electrical Engineering, Incheon National University, 119 Academy Rd. Yeonsu, Incheon, 406772, Republic of Korea) ,  Pandey Kavita (Department of Solar Energy, School of Technology, Pandit Deendayal Petroleum University, Gandhinagar 382007, India) ,  Lim Donggun (Department of IT Convergence, Korea National University of Transportation, 50 Daehak-ro, Chungju 380702, Chungbuk, Republic of Korea) ,  Jeong Chaehwan (Applied Optics and Energy Research Group, Korea Institute of Industrial Technology, Gwangju 500480, Republic of Korea)
資料名： Superlattices and Microstructures  (Superlattices and Microstructures)
巻： 112  ページ： 262-268  発行年： 2017年 
JST資料番号： D0600B  ISSN： 0749-6036  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本論文では,柔軟な,自己バイアス,広帯域,高速と透明ヘテロ接合フォトダイオードの開発,次世代電子デバイスのための本質的に重要なを報告した。室温で反応性スパッタリング法を用いた半透明p型Cu_4O_3を成長させた。Cu_4O_3膜の構造及び光学特性をX線回折およびUV-可視分光法を用いて調べた。暗条件下でp Cu_4O_3/n-ZnOヘテロ接合ダイオードは1.8×10~ 10Aの非常に低い飽和電流値と照射条件下で零バイアス光電流を有する整流挙動が得られた。透明p Cu_4O_3/n-ZnOヘテロ接合光検出器は,外部バイアスなしで運転される,光誘起電圧の発生に起因すると考えられる。Cu_4O_3/ZnOに基づく金属酸化物ヘテロ接合は透明で柔軟な光電素子のための経路,光検出器及び光起電技術を提供するであろう。Copyright 2018 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： 光検出器 ,  反応性スパッタリング ,  光学的性質 ,  バイアス ,  高速度 ,  X線回折 ,  フォトダイオード ,  *光電素子 ,  整流 ,  光電流 ,  *酸化亜鉛 ,  広帯域 ,  *ヘテロ接合
準シソーラス用語： 飽和電流 ,  半透明 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： 酸化物薄膜  (BK14050P)

タイトルに関連する用語 (3件)： ZnO ,  ヘテロ接合 ,  光電素子