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J-GLOBAL ID：201702219489232726   整理番号：17A1968817

La_2NiO_4センシング電極を用いたYSZ系混合電位H_2Sセンサ【Powered by NICT】

YSZ-based mixed potential H₂S sensor using La₂NiO₄ sensing electrode

著者 (12件)： Hao Xidong (State Key Laboratory on Integrated Optoelectronics, College of Electronic Science and Engineering, Jilin University,2699 Qianjin Street, Changchun, 130012, China) ,  Ma Ce (State Key Laboratory on Integrated Optoelectronics, College of Electronic Science and Engineering, Jilin University,2699 Qianjin Street, Changchun, 130012, China) ,  Yang Xue (State Key Laboratory on Integrated Optoelectronics, College of Electronic Science and Engineering, Jilin University,2699 Qianjin Street, Changchun, 130012, China) ,  Liu Tong (State Key Laboratory on Integrated Optoelectronics, College of Electronic Science and Engineering, Jilin University,2699 Qianjin Street, Changchun, 130012, China) ,  Wang Bin (State Key Laboratory on Integrated Optoelectronics, College of Electronic Science and Engineering, Jilin University,2699 Qianjin Street, Changchun, 130012, China) ,  Liu Fangmeng (State Key Laboratory on Integrated Optoelectronics, College of Electronic Science and Engineering, Jilin University,2699 Qianjin Street, Changchun, 130012, China) ,  Liang Xishuang (State Key Laboratory of Automotive Simulation and Control, Jilin University,5988 Renmin Avenue, Changchun, 130012, China) ,  Liang Xishuang (State Key Laboratory on Integrated Optoelectronics, College of Electronic Science and Engineering, Jilin University,2699 Qianjin Street, Changchun, 130012, China) ,  Yang Chunhua (School of Information Science and Engineering, Central South University, Changsha, 410083, China) ,  Zhu Hongqiu (School of Information Science and Engineering, Central South University, Changsha, 410083, China) ,  Lu Geyu (State Key Laboratory of Automotive Simulation and Control, Jilin University,5988 Renmin Avenue, Changchun, 130012, China) ,  Lu Geyu (State Key Laboratory on Integrated Optoelectronics, College of Electronic Science and Engineering, Jilin University,2699 Qianjin Street, Changchun, 130012, China)
資料名： Sensors and Actuators. B. Chemical  (Sensors and Actuators. B. Chemical)
巻： 255  号： P3  ページ： 3033-3039  発行年： 2018年 
JST資料番号： T0967A  ISSN： 0925-4005  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本論文では,YSZとLa_2NiO_4センシング電極に基づく混合電位電気化学センサはサブppm H_2S検出のために作製した。センシング材料La_2NiO_4をゾル-ゲル法により調製した。異なるモルクエン酸(CA)はLa_2NiO_4の微細構造を変化させる錯化剤として使用した。他のモル比と比較して,n(CA):n(La~3+ +Ni~2+)=1:1のLa_2NiO_4SEに基づくセンサは500°Cで 55mV500ppbまでH_2Sの最高の応答を行った。さらに,700°Cの短温度パルスは回復時間を減少させるために使用し,結果は500ppb H_2S,20分間に約150sへと変化するセンサの重要性減少を示した。添加では,センサは他の干渉ガスと比較して,試験期間中,H_2Sの良好な安定性とH_2Sに対して優れた選択性を示し,SO_2,NO_2,NO,CO,CH_4とNH_3など。混合ポテンシャルに関連した検出機構は,YSZと酸化物電極に基づいたセンサに対して提案した。Copyright 2018 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： 酸化物 ,  ゾル-ゲル法 ,  パルス ,  干渉 ,  モル比 ,  電気化学センサ ,  *電位 ,  微細構造 ,  *センサ
準シソーラス用語： 感知機構 ,  回復時間 ,  錯化剤 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (4件)： H_2Sセンサ ,  La_2NiO_4 ,  短温度パルス ,  混合可能性

分類 (1件)： 分析機器  (CC02020S)

タイトルに関連する用語 (3件)： センシング ,  YSZ ,  電位