文献

J-GLOBAL ID：201702219523184972   整理番号：17A1804477

重合体ベースのライナTSV作製法とその抵抗変化

Polymer-Based Liner TSV Fabrication Scheme and Its Resistance Variation

著者 (5件)： LEE Shih-Wei (National Chiao Tung Univ., Hsinchu, TWN) ,  SHIH Jian-Yu (National Chiao Tung Univ., Hsinchu, TWN) ,  CHEN Kuo-Hua (ASE group, Kaohsiung, TWN) ,  CHIU Chi-Tsung (ASE group, Kaohsiung, TWN) ,  CHEN Kuan-Neng (National Chiao Tung Univ., Hsinchu, TWN)
資料名： Journal of Nanoscience and Nanotechnology  (Journal of Nanoscience and Nanotechnology)
巻： 17  号： 7  ページ： 4712-4715  発行年： 2017年07月 
JST資料番号： W1351A  ISSN： 1533-4880  CODEN： JNNOAR  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： スルーシリコンバイア(TSV)技術における重合体内張りの形成が旨く行かないと,出来た回路に時間遅れが起こることある。ここでは,重合体TSV製造方法を提案し,リングトレンチエッチングと真空環境下でのベンゾクロロブテン(BCB)堆積を用いることにより,均一な内張りを作ることに成功した。60個のTSVについて60mΩの抵抗変化ガ生じるが,これはポリマベースの内張りにボイドが生じるためである。TSVことが分かった。本研究の結果から,高密度TSV設計のガイドラインが導かれる。

シソーラス用語： ライナ ,  *バイアホール ,  エッチング ,  電気抵抗 ,  重合体
準シソーラス用語： *TSV【配線】 ,  *スルーシリコンバイア ,  リディストゥリビューションライン ,  内張り

分類 (1件)： 固体デバイス製造技術一般  (NC03030V)

物質索引 (1件)： ベンゾシクロブテン

タイトルに関連する用語 (5件)： 重合体 ,  ライナ ,  TSV ,  作製法 ,  抵抗変化