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J-GLOBAL ID：201702219524570990   整理番号：17A0922577

エッジとドメイン壁分子Dirac電子システムα-(BEDT-TTF)₂I₃の縦方向伝導率

Longitudinal Conductivity on Edge and Domain Wall Molecular Dirac Electron System α-(BEDT-TTF)₂I₃

著者 (3件)： OMORI Yukiko (Toyota Coll., National Inst. Technol., Aichi, JPN) ,  MATSUNO Genki (Nagoya Univ., Nagoya, JPN) ,  KOBAYASHI Akito (Nagoya Univ., Nagoya, JPN)
資料名： Journal of the Physical Society of Japan  (Journal of the Physical Society of Japan)
巻： 86  号： 7  ページ： 074708.1-074708.10  発行年： 2017年07月15日 
JST資料番号： G0509A  ISSN： 0031-9015  CODEN： JUPSA  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 分子Dirac電子システムα-(BEDT-TTF)₂I₃の半無限二次元層の縦方向伝導率を特にエッジ状態とチャージ秩序の異なるタイプのドメイン壁に縛られた状態に関して研究した。拡張Hubbardモデルを研究し,そして,ある特定の境界条件で伝導性エッジ状態とドメイン壁が起こることを示した。チャージ秩序が増加してもドメイン壁上の束縛状態は金属的なままであるが,金属的エッジ状態はチャージ秩序と質量ゼロのDiracフェルミオン相の間の相遷移点の近くにだけ存在する。ドメイン壁の安定性も,はっきりした。α-(BEDT-TTF)₂I₃の実際の結晶は多層から成るので,これらの理論結果は,相境界の近くのチャージ秩序相の中に幾つかの金属的チャンネルが存在することを示唆する最近の輸送実験を記述できる。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： Dirac場 ,  ヨウ化物 ,  比率 ,  二次元 ,  Hubbard模型 ,  フェルミオン ,  相転移 ,  境界 ,  *有機半導体 ,  *電気伝導率 ,  伝導率

分類 (1件)： 半導体と絶縁体の電気伝導一般  (BM03041P)

引用文献 (56件)：

• K. Nakada, M. Fujita, G. Dresselhaus, and M. S. Dresselhaus, Phys. Rev. B 54, 17954 (1996).
• M. Fujita, K. Wakabayashi, K. Nakada, and K. Kusakabe, J. Phys. Soc. Jpn. 65, 1920 (1996).
• M. Kohmoto and Y. Hasegawa, Phys. Rev. B 76, 205402 (2007).
• M. König, S. Wiedmann, C. Brüne, A. Roth, H. Buhmann, L. W. Molenkamp, X.-L. Qi, and S.-C. Zhang, Science 318, 766 (2007).
• L. Ju, Z. Shi, N. Nair, Y. Lv, C. Jin, J. Velasco, Jr., C. Ojeda- Aristizabal, H. A. Bechtel, M. C. Martin, A. Zettl, J. Analytis, and F. Wang, Nature 520, 650 (2015).

タイトルに関連する用語 (7件)： エッジ ,  ドメイン壁 ,  分子 ,  Dirac電子 ,  BEDT-TTF ,  縦方向 ,  伝導率