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J-GLOBAL ID：201702219568889387   整理番号：17A1276939

シリコンに囲まれた空洞の水素に対する気密性【Powered by NICT】

Hermeticity against hydrogen of cavities surrounded by silicon

著者 (6件)： Iwai S. (Yokogawa Electric Corporation, Tokyo, Japan) ,  Yoshita S. (Yokogawa Electric Corporation, Tokyo, Japan) ,  Kanno K. (Yokogawa Electric Corporation, Tokyo, Japan) ,  Suzuki H. (Yokogawa Electric Corporation, Tokyo, Japan) ,  Mishima T. (Yokogawa Electric Corporation, Tokyo, Japan) ,  Yoshida T. (Yokogawa Electric Corporation, Tokyo, Japan)
資料名： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)
巻： 2017  号： TRANSDUCERS  ページ： 1288-1291  発行年： 2017年 
JST資料番号： W2441A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 水素を充填した空洞のポリシリコン薄膜および/または単結晶シリコンの水素透過を報告し,450°Cと700°Cの間の透過の活性化エネルギーを推定する著者らのデータから計算した,シリコンで覆われている共振器の200°Cでの透過に必要な時間は二酸化けい素によって形成された拡散経路を持つ共振器のそれよりも10~5倍長かった。著者らの知識の及ぶ限りでは,これは二酸化けい素経路なしにシリコンで囲まれたシール構造の水素に対する気密性の最初の報告である。Copyright 2017 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： 密封装置 ,  共振器 ,  *ケイ素 ,  二酸化ケイ素 ,  *水素 ,  水素透過 ,  *気密性 ,  活性化エネルギー
準シソーラス用語： 拡散経路 ,  単結晶シリコン ,  シリコン薄膜 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (4件)： 酸化物薄膜  (BK14050P) ,  固体デバイス製造技術一般  (NC03030V) ,  半導体薄膜  (BK14040E) ,  半導体の格子欠陥  (BK12040Q)

タイトルに関連する用語 (4件)： シリコン ,  空洞 ,  水素 ,  気密性