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J-GLOBAL ID：201702219613739069   整理番号：17A1144124

傾斜磁場内における二次元正孔Landau準位充填因子3/2周辺の複合フェルミオン状態

Composite fermion states around the two-dimensional hole Landau level filling factor 3/2 in tilted magnetic fields

著者 (7件)： ZHANG Po (Peking Univ., Beijing, CHN) ,  LIU Ruiyuan (Rice Univ., Texas, USA) ,  DU Rui-Rui (Peking Univ., Beijing, CHN) ,  DU Rui-Rui (Rice Univ., Texas, USA) ,  DU Rui-Rui (Collaborative Innovation Center of Quantum Matter, Beijing, CHN) ,  PFEIFFER L.N. (Princeton Univ., New Jersey, USA) ,  WEST K.W. (Princeton Univ., New Jersey, USA)
資料名： Physical Review. B  (Physical Review. B)
巻： 95  号： 15  ページ： 155316.1-155316.5  発行年： 2017年04月 
JST資料番号： D0746A  ISSN： 2469-9950  CODEN： PRBMDO  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

シソーラス用語： *量子井戸 ,  化合物半導体 ,  *フェルミオン ,  *Landau準位 ,  電子状態 ,  磁場勾配 ,  二次元 ,  *正孔
準シソーラス用語： 半導体量子井戸 ,  III-VI族化合物半導体 ,  *複合フェルミオン ,  傾斜磁場

分類 (1件)： 13-15族化合物を含む半導体-半導体接合  (BM03082Y)

タイトルに関連する用語 (6件)： 傾斜磁場 ,  正孔 ,  Landau準位 ,  充填因子 ,  周辺 ,  複合フェルミオン