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J-GLOBAL ID：201702219650786519   整理番号：17A0634934

メモリへの適用のための新しいPVDカルコゲン化物材料の発見

Discovery of new PVD chalcogenide materials for memory applications

著者 (5件)： CHEN Larry (IMI Inc., CA) ,  CLARK Mark (IMI Inc., CA) ,  CHEN Charlene (IMI Inc., CA) ,  CHENG Susan (IMI Inc., CA) ,  WELING Milind (IMI Inc., CA)
資料名： Solid State Technology  (Solid State Technology)
巻： 60  号： 3  ページ： 27-30  発行年： 2017年04月 
JST資料番号： E0226A  ISSN： 0038-111X  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 解説  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： メモリ素子の性能向上やプロセス改善のために各種の材料探索が必要である。本稿では,新しいPVDカルコゲン化物材料の発見のための事例研究について紹介した。この事例では,高スループット実験(HTE)を行った。この実験に使ったPVDツールは,4個のスパッタガンを備えている。電力密度(1~9W/cm²),圧力範囲(1~20mTorr),基板温度(RT~400°C),プラズマタイプ(DC,PDCおよびRF),スパッタガス中のO₂濃度(0~100%),アニーリングガス(Ar,N₂,O₂,フォーミングガス)を変更して,300mmウエハに一度に各種の化合物を析出させることができる。この装置による事例研究結果を紹介した。

シソーラス用語： 記憶素子 ,  *物理蒸着 ,  カルコゲン化物 ,  開発 ,  材料 ,  *材料設計 ,  事例研究 ,  エネルギー密度 ,  電力 ,  基板温度 ,  *プロセスパラメータ
準シソーラス用語： PVD ,  メモリ素子 ,  材料開発 ,  電力密度

分類 (1件)： 固体デバイス製造技術一般  (NC03030V)

タイトルに関連する用語 (3件)： PVD ,  カルコゲン化物 ,  発見