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J-GLOBAL ID：201702219652941132   整理番号：17A1124572

界面でのナノボイドによる長時間吸収放射誘起された格子間原子の予測への3スケール均質化アプローチ【Powered by NICT】

A three-scale homogenisation approach to the prediction of long-time absorption of radiation induced interstitials by nanovoids at interfaces

著者 (6件)： Zhu Yichao (State Key Laboratory of Structural Analysis for Industrial Equipment, Department of Engineering Mechanics, Dalian University of Technology, Ganjingzi District, Dalian 116024, China) ,  Zhu Yichao (International Research Center for Computational Mechanics, Dalian University of Technology, China) ,  Wang Jian (College of Engineering, University of Nebraska - Lincoln, 1400 R Street Lincoln, NE 68588, U.S.A.) ,  Xiang Yang (Department of Mathematics, the Hong Kong University of Science and Technology, Clear Water Bay, Kowloon, Hong Kong) ,  Guo Xu (State Key Laboratory of Structural Analysis for Industrial Equipment, Department of Engineering Mechanics, Dalian University of Technology, Ganjingzi District, Dalian 116024, China) ,  Guo Xu (International Research Center for Computational Mechanics, Dalian University of Technology, China)
資料名： Journal of the Mechanics and Physics of Solids  (Journal of the Mechanics and Physics of Solids)
巻： 105  ページ： 1-20  発行年： 2017年 
JST資料番号： C0320A  ISSN： 0022-5096  CODEN： JMPSA8  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 高密度の界面を含む種々のナノスケール材料が発見放射線耐性材料の楽観的展望を明らかにした。しかし,原子炉の炉心構造部品・材料耐放射線性を改善するための多くのナノスケール処理間の大きな次元コントラスト,対応する予測モデルは,分解能と効率の間の微妙なバランスを持つことが必要である。これに動機付けられて,三スケール均質化スキームを本論文で導入すると,界面での長時間侵入型シンク挙動の連続体モデルを適切に保持された全ての重要なナノスケールパラメータと機構を導出した。既存研究同様と比較して,導出されたモデルは,少なくとも二つの側面におけるその利点を示した。第一に,それは従来の研究で十分に考慮しない格子間原子移動に対する多重シンクの集団効果を組み込むと,その基礎となる機構への連続体記述の精度は実質的に改善された。第二に,導出されたモデルは,自然点欠陥を吸収するシンク長くしないでシンク飽和条件を定式化した。本研究では,Chenら(2015)による材料の耐放射線性を改善するための最近の提案に対する長期予測モデルを開発することに由来し,誘導された三スケール均質化法は,他のタイプのシンク欠陥相互作用の集団挙動をモデル化するために自然に一般化できる。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： 予測モデル ,  *均質化 ,  モデリング ,  *界面 ,  分解能 ,  連続体 ,  ナノ材料 ,  コントラスト ,  *格子間原子 ,  相互作用 ,  耐放射線性 ,  定式化
準シソーラス用語： 均質化法 ,  連続体モデル ,  ナノスケール , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (5件)： Homogenisation ,  シンク飽和 ,  ナノボイド ,  粒界 ,  照射下での長時間挙動

分類 (4件)： 計算機シミュレーション  (JE11000H) ,  金属材料  (HC04020L) ,  セラミック・磁器の性質  (YC03030G) ,  固体の機械的性質一般  (BL01021C)

タイトルに関連する用語 (9件)： 界面 ,  ナノボイド ,  長時間 ,  放射 ,  誘起 ,  格子間原子 ,  予測 ,  スケール ,  均質化