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J-GLOBAL ID：201702219713944068   整理番号：17A1775010

E GaN FETとシリコンMOSFETの高スイッチング周波数性能【Powered by NICT】

High switching frequency performance of E-GaN FETs and silicon MOSFETs

著者 (4件)： Saini Dalvir K. (Department of Electrical Engineering, Wright State University, Dayton, Ohio 45435, USA) ,  Ayachit Agasthya (Department of Electrical Engineering, Wright State University, Dayton, Ohio 45435, USA) ,  Kazimierczuk Marian K. (Department of Electrical Engineering, Wright State University, Dayton, Ohio 45435, USA) ,  Suetsugu Tadashi (Department of Electronics Engineering and Computer Science, Fukuoka University, Fukuoka, 814-0180, Japan)
資料名： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)
巻： 2017  号： IAS  ページ： 1-6  発行年： 2017年 
JST資料番号： W2441A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本論文では,以下の目的を達成することを目的としている:(a)窒化ガリウム(GaN)FETとシリコン(Si)MOSFETにおけるスイッチング遷移中の電力損失を評価し,比較,(b)GaNとSiトランジスタの周波数能力,ハードスイッチングパワーエレクトロニクス回路に用いた場合を決定し,(c)異なるスイッチング周波数で動作するGaNとSiトランジスタを用いた同期バック(SB)DC-DC電力変換器の電力性能を評価した。EPC9037スイッチングネットワークモジュールにおけるGaNトランジスタはベンチマークデバイスと考えられている,それらの性質を同一の電圧と電流定格を持つシリコンnチャネルトランジスタと比較した。シミュレーション結果は,Si MOSFETのスイッチング周波数限界とGaN FETの拡張周波数能力を説明するSBコンバータに対して提供した。実験結果は解析的予測を検証した。Copyright 2017 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： 電力変換器 ,  変換器 ,  電力 ,  *スイッチング ,  *ケイ素 ,  *MOSFET ,  予測 ,  電流 ,  シミュレーション ,  トランジスタ ,  *窒化ガリウム ,  電圧 ,  *周波数
準シソーラス用語： 電力損失 ,  *スイッチング周波数 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： 電力変換器  (NB08030B)

タイトルに関連する用語 (5件)： GaN ,  FET ,  シリコン ,  MOSFET ,  スイッチング周波数