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J-GLOBAL ID：201702219771913803   整理番号：17A0945940

UiO-66の室温合成および欠陥部位の密度の熱変調

Room-Temperature Synthesis of UiO-66 and Thermal Modulation of Densities of Defect Sites

著者 (6件)： DESTEFANO Matthew R. (Northwestern Univ., Illinois, USA) ,  ISLAMOGLU Timur (Northwestern Univ., Illinois, USA) ,  GARIBAY Sergio J. (Northwestern Univ., Illinois, USA) ,  HUPP Joseph T. (Northwestern Univ., Illinois, USA) ,  FARHA Omar K. (Northwestern Univ., Illinois, USA) ,  FARHA Omar K. (King Abdulaziz Univ., Jeddah, SAU)
資料名： Chemistry of Materials  (Chemistry of Materials)
巻： 29  号： 3  ページ： 1357-1361  発行年： 2017年02月14日 
JST資料番号： T0893A  ISSN： 0897-4756  CODEN： CMATEX  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： ジルコニウムプロポキシドの1-プロパノール溶液,ジメチルホルムアミドおよび酢酸を130°Cで2時間加熱し,室温に法令した後にテレフタル酸,2-アミノテレフタル酸,2-ヒドロキシテレフタル酸または2-ニトロテレフタル酸を加え,25,45,60,80,90,95,110または130°Cで18時間反応させてジルコニウム酸化物クラスタの金属-有機物構造体UiO-66およびUiO-66X(X=NH₂,OH,NO₂)を合成した。X線回折,窒素吸着および酸塩基滴定によってこれらの多孔質体をキャラクタリゼーションし,欠陥(テレフタル酸欠落)濃度と合成温度との関係を明らかにした。欠陥濃度は45°Cで合成したときZr₆O₄(OH)₄(テレフタラート)₆当り約1.3個で最も高かった。

シソーラス用語： *配位高分子 ,  化学合成 ,  *ジルコニウム化合物 ,  *酸化物 ,  *水酸化物 ,  *クラスタ ,  温度依存性 ,  多孔質体 ,  欠陥 ,  芳香族カルボン酸 ,  ジカルボン酸
準シソーラス用語： 配位重合体

分類 (2件)： 第4族,第5族元素の錯体  (CE01070U) ,  芳香族単環カルボン酸・ペルオキシカルボン酸・チオカルボン酸  (CF05180T)

物質索引 (4件)： テレフタル酸 ,  2-アミノテレフタル酸 ,  2-ニトロテレフタル酸 ,  2-ヒドロキシテレフタル酸

タイトルに関連する用語 (5件)： UiO-66 ,  室温 ,  欠陥 ,  密度 ,  変調