文献

J-GLOBAL ID：201702219797179050   整理番号：17A1124265

シリコンにおける応力誘起相転移に関する実験的および数値的研究【Powered by NICT】

Experimental and numerical investigations on stress induced phase transitions in silicon

著者 (2件)： Budnitzki M. (TU Bergakademie Freiberg, Institute of Mechanics and Fluid Dynamics, Lampadiusstr. 4, 09599 Freiberg, Germany) ,  Kuna M. (TU Bergakademie Freiberg, Institute of Mechanics and Fluid Dynamics, Lampadiusstr. 4, 09599 Freiberg, Germany)
資料名： International Journal of Solids and Structures  (International Journal of Solids and Structures)
巻： 106-107  ページ： 294-304  発行年： 2017年 
JST資料番号： B0700A  ISSN： 0020-7683  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： ケイ素は電子的,構造的および光学材料として非常に大きな重要性を持っている。モデリングは,室温で尖った表面突起とケイ素表面の相互作用中の応力に駆動された相転移は,この半導体の脆性だけでなく延性領域加工に関連した種々の現象の理解に向けての大きなステップである。複雑な負荷状況のための材料の応答を理解するためにしばしば使用されるJ_II塑性モデルは不十分である,専用の構成モデルが必要である。応力誘起半導体-金属(cd Si → β Si),金属への非晶質(β Si → a Si)並びに非晶質-非晶質(a-Si→hda Si,hda Si→a-Si)遷移を捕捉する内部変数による熱力学の枠組みの中で設定された新しい有限変形構成モデルを開発した。モデルは,(111)-Siのための荷重-変位データは,シリコンのBerkovichインデンテーション応答の代表であることを示すを用いて較正した。残留表面トポグラフィーのためのシミュレーション結果と変態域の大きさは実験データと非常に良く一致した。最後に,モデルの予測能力を,Knoop圧子先端による押込の荷重-変位曲線の成功裏の生殖により実証した。J_II塑性を用いて得られた結果への相転移モデルを用いて計算した残留応力場の間の比較は顕著な相違を示し,後者に基づく予測は信頼できない可能性があることを示唆した。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： 構成モデル ,  モデリング ,  残留応力 ,  有限変形 ,  脆性 ,  *ケイ素 ,  圧子 ,  非晶質 ,  延性 ,  *相転移 ,  塑性 ,  半導体
準シソーラス用語： 荷重-変位曲線 ,  表面トポグラフィー ,  塑性モデル , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (5件)： シリコン ,  構成モデル ,  応力誘起相転移 ,  押込 ,  接触荷重

分類 (1件)： 金属材料  (HC03020E)

タイトルに関連する用語 (5件)： シリコン ,  応力誘起相転移 ,  実験 ,  数値 ,  研究