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J-GLOBAL ID:201702219831699575   整理番号:17A1484782

マグネトロンスパッタリングにより合成した立方晶蛍石Bi_2O_3膜の高安定性と交流電気伝導率【Powered by NICT】

High stability and ac-conductivity of cubic fluorite-Bi2O3 films synthesized by magnetron sputtering
著者 (2件):
資料名:
巻: 309  ページ: 100-109  発行年: 2017年 
JST資料番号: B0096B  ISSN: 0167-2738  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: オランダ (NLD)  言語: 英語 (EN)
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ナノ構造δBi_2O_3およびドープしたBi_2O_3薄膜の電気的性質を,電気化学インピーダンス分光法を用いて研究した。第一に,立方晶蛍石Bi_2O_3相を示す膜は,ドーパントを添加することにより広い温度範囲で安定化できることが示された;Al,500°Cで室温から300°CまでTaと600°CでW約三桁の大きさの全混合伝導率の増強は,Alドープ膜と二桁低い温度範囲(100 250°C)における他のドーパントの大きさののみ得られた。インピーダンス分析は,伝導率は主にナノ構造薄膜の多くの結晶粒界を通して起こる非局在化イオン伝導によって駆動されることを示唆した。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】
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分類 (1件):
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電気化学一般 
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