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J-GLOBAL ID：201702219835263984   整理番号：17A0780929

金属シリサイドナノ粒子を導入することによるアモルファスシリコン膜の吸収改善

Absorption Amelioration of Amorphous Si Film by Introducing Metal Silicide Nanoparticles

著者 (6件)： SUN Hui (Ocean Univ. China) ,  WU Hsuan-Chung (Ming Chi Univ. Technol.) ,  CHEN Sheng-Chi (Ming Chi Univ. Technol.) ,  CHEN Sheng-Chi (Chang Gung Univ.) ,  LEE Che-Wei Ma (Ming Chi Univ. Technol.) ,  WANG Xin (Ocean Univ. China)
資料名： Nanoscale Research Letters (Web)  (Nanoscale Research Letters (Web))
巻： 12  号： 1  ページ： 12:224 (WEB ONLY)  発行年： 2017年12月 
JST資料番号： U7001A  ISSN： 1931-7573  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 金属シリサイドを導入したアモルファスSi(a-Si)膜は,純粋a-Si膜の吸収能力の強化に期待されている。この研究では,室温で高周波(RF)スパッタリングによりNiSi(20nm)/Si(40nm)およびAlSi(20nm)/Si(40nm)二層薄膜を堆積した。膜の光吸収に対する膜の成分とアニール温度の影響を調べた。その結果,すべてのNiSi/Si膜とAlSi/Si膜は純粋a-Si膜(60nm)に比べて高い吸収能力が見られた。真空中で1時間,400°C~600°Cでアニールした後も,NiSi/Si膜とAlSi/Si膜の両方でSi層のアモルファスは保たれており,NiSi層がNiSi₂に結晶化する一方,アニール処理中に全膜からAl原子は拡散した。その結果として,アニール温度の増加により,NiSi/Si膜の光吸収は増加し,AlSi/Si膜の光吸収は明らかに減少した。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： *アモルファスシリコン ,  *半導体薄膜 ,  スパッタ蒸着 ,  RFスパッタリング ,  *多層膜 ,  *ケイ化物 ,  *ニッケル化合物 ,  *アルミニウム化合物 ,  ナノ粒子 ,  *結晶化 ,  熱処理 ,  温度依存性 ,  *光吸収
準シソーラス用語： *二層膜

分類 (1件)： 光物性一般  (BM08010A)

タイトルに関連する用語 (4件)： シリサイド ,  ナノ粒子 ,  アモルファス ,  シリコン膜