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J-GLOBAL ID：201702219855990375   整理番号：17A0957977

高線量のガンマ線照射後の膜上のシリコンオンインシュレータ半導体ベースのデバイスのその場熱アニーリング

In-situ thermal annealing of on-membrane silicon-on-insulator semiconductor-based devices after high gamma dose irradiation

著者 (12件)： AMOR S (Univ. catholique de Louvain, Louvain-la-Neuve, BEL) ,  AMOR S (Univ. Sfax, Sfax, TUN) ,  ANDRE N (Univ. catholique de Louvain, Louvain-la-Neuve, BEL) ,  KILCHYTSKA V (Univ. catholique de Louvain, Louvain-la-Neuve, BEL) ,  TOUNSI F (Univ. Sfax, Sfax, TUN) ,  MEZGHANI B (Univ. Sfax, Sfax, TUN) ,  GERARD P (Univ. catholique de Louvain, Louvain-la-Neuve, BEL) ,  ALI Z (ams Sensors UK, Cambridge, GBR) ,  UDREA F (ams Sensors UK, Cambridge, GBR) ,  UDREA F (Univ. Cambridge, Cambridge, GBR) ,  FLANDRE D (Univ. catholique de Louvain, Louvain-la-Neuve, BEL) ,  FRANCIS L A (Univ. catholique de Louvain, Louvain-la-Neuve, BEL)
資料名： Nanotechnology  (Nanotechnology)
巻： 28  号： 18  ページ： 184001,1-9  発行年： 2017年05月05日 
JST資料番号： W0108A  ISSN： 0957-4484  CODEN： NNOTER  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本稿は使用されたMOSFETデバイス構造とその作製技術を簡単に記述することから出発する。2番目のセクションは温度センシング法の解説的な記述に注力し,そしてキャリブレーション手法を詳述する。三番目のセクションは半導体デバイスのガンー線照射による損傷の詳細な解析に関係する。最後のセクションは二つの異なるアニーリング温度465°Cと975°Cで起きる回復プロセスを明かにする。

シソーラス用語： *SOI構造 ,  *熱処理 ,  *γ線照射 ,  *照射損傷 ,  半導体素子 ,  *温度測定 ,  *MOSFET ,  *CMOS構造 ,  基板 ,  ケイ素 ,  二酸化ケイ素 ,  *加熱器 ,  *補正 ,  インバータ ,  *電流電圧特性
準シソーラス用語： マイクロヒータ

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (4件)： 線量 ,  ガンマ線照射 ,  シリコンオンインシュレータ ,  熱アニーリング