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J-GLOBAL ID：201702219907642535   整理番号：17A1122484

荷電グラフェンにおける原子輸送:なぜ水素と酸素が大きく異なるのか【Powered by NICT】

Atomic Transport at Charged Graphene: Why Hydrogen and Oxygen Are So Different?

著者 (2件)： Nguyen Manh-Thuong (Center for Computational Physics, Institute of Physics, Vietnam Academy of Science and Technology, 10 Dao Tan St., Hanoi, Vietnam) ,  Phong PhamNam (School of Engineering Physics, Hanoi University of Science and Technology, Hanoi, 100000, Vietnam)
資料名： Chemistryselect  (Chemistryselect)
巻： 2  号： 9  ページ： 2797-2802  発行年： 2017年 
JST資料番号： W2528A  ISSN： 2365-6549  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 荷電グラファイト炭素表面上の原子は様々な電気化学的問題に関連する,充電条件下での吸着原子の吸着と拡散である電気化学におけるグラフェン様材料を使用する本質的な理解。密度汎関数計算を用いて,電子または正孔ドープしたグラフェンはHとO吸着原子の移動度を大きく変えることができることを示した。興味深いことに,電荷ドーピングは逆方向におけるH及びOの拡散に影響を及ぼし,すなわち,電子ドーピングを増加/減少させるが,正孔ドーピングはそれぞれH/Oの拡散障壁を減少/増加した。特に,中性グラフェン上のHとOの拡散障壁は1.01eVと0.74eV,5.9×10~13cm~ 2,0.77および0.90eVの正孔ドーピングレベルに,および 5.9×10~13cm~ 2の電子ドーピングレベルに,1.36および0.38eVである。,調和遷移状態理論の枠内で,室温で,Oの拡散率は470または1×10~6倍減少または増加できる,一方,Hのそれは上記正孔または電子ドーピング密度1×10~4または7×10~5倍,それぞれ増加または減少させることができる。荷電グラフェンにおけるH及びO原子輸送の差は電荷ドーピングによる幾何学的および結合の変化の違いの観点から解釈した。Copyright 2017 Wiley Publishing Japan K.K. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： 正孔 ,  *酸素 ,  吸着 ,  *電荷 ,  ドーピング ,  グラファイト ,  *グラフェン ,  拡散係数 ,  炭素 ,  拡散障壁 ,  *水素 ,  密度汎関数法
準シソーラス用語： 正孔ドーピング ,  電子ドーピング ,  吸着原子 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (5件)： 密度汎関数理論 ,  ドープされたグラフェン ,  水素と酸素 ,  吸着 ,  拡散

分類 (1件)： 吸着の電子論  (CB12042Y)

タイトルに関連する用語 (6件)： 荷電 ,  グラフェン ,  原子 ,  輸送 ,  水素 ,  酸素