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J-GLOBAL ID：201702219919536995   整理番号：17A1422711

Siベースマトリックス上に蒸着したアルミニウム薄膜のためのPIXEの検出限界【Powered by NICT】

PIXE detection limit for aluminium thin film deposited on Si-based matrix

著者 (3件)： Soueidan M. (Lebanese National Council for Scientific Research, Lebanese Atomic Energy Commission, P.O. Box 11-8281, Riad El Solh 1107, 2260 Beirut, Lebanon) ,  Roumie M. (Lebanese National Council for Scientific Research, Lebanese Atomic Energy Commission, P.O. Box 11-8281, Riad El Solh 1107, 2260 Beirut, Lebanon) ,  Nsouli B. (Lebanese National Council for Scientific Research, Lebanese Atomic Energy Commission, P.O. Box 11-8281, Riad El Solh 1107, 2260 Beirut, Lebanon)
資料名： Nuclear Instruments & Methods in Physics Research. Section B. Beam Interactions with Materials and Atoms  (Nuclear Instruments & Methods in Physics Research. Section B. Beam Interactions with Materials and Atoms)
巻： 406  号： PA  ページ： 71-74  発行年： 2017年 
JST資料番号： H0899A  ISSN： 0168-583X  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本研究の目的は,シリコン(Si)とSiベースマトリックス中の迅速,非破壊で正確な定量法としてのPIXE技術の能力を示すことである。この目的のために,けい素と炭化けい素基板上のアルミニウム(Al)薄膜(2.5nm)沈着は効果ジュール蒸発を用いて行った。Al定量のための感度を改善するために,種々の入射角(0°,60°および80°)と異なるエネルギー(0.2~3MeV)での陽子イオンビームを用いて行った系統的研究。0.3MeVと80°傾斜角の陽子ビームエネルギーは数分の取得時間内で高感度と1.2×10~15at/cm~2以下LODとAl/Siのより正確な決定を可能にする。しかし,SiC基板はSiの代わりに使用されたときAlのLODは1桁減少した。,これらの最適パラメータを用いて,薄いホモエピタキシャルSiC層中のAlドーピング濃度を決定した。入射角を0°から80°に変化したときAl/Si比は0.066から0.36まで変化させたことが分かった。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： *検出限界 ,  高感度 ,  蒸発 ,  イオンビーム ,  定量分析 ,  *アルミニウム ,  傾斜角 ,  *ケイ素 ,  炭化ケイ素 ,  入射角 ,  *薄膜 ,  陽子ビーム ,  陽子
準シソーラス用語： 最適パラメータ ,  炭化ケイ素基板 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (6件)： PIXE ,  低エネルギーPIXE ,  ドーピング濃度 ,  Si ,  SiC ,  Al

分類 (1件)： 無機物質中の元素の物理分析  (CC03022H)

タイトルに関連する用語 (7件)： Si ,  マトリックス ,  蒸着 ,  アルミニウム ,  薄膜 ,  PIXE ,  検出限界