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J-GLOBAL ID：201702220012366043   整理番号：17A1558545

タングステン表面単一一酸化炭素分子からの電界放出のナノメートルスケールの識別【Powered by NICT】

Nanometer-scale discernment of field emission from tungsten surface with single carbon monoxide molecule

著者 (3件)： Matsunaga Soichiro (Center for Technology Innovation - Electronics, Research and Development group, Hitachi, Ltd., Kokubunji-shi, Tokyo 185-8601, Japan) ,  Suwa Yuji (Center for Technology Innovation - Materials, Research and Development group, Hitachi, Ltd., Hitachi-shi, Ibaraki 319-1292, Japan) ,  Katagiri Souichi (Center for Technology Innovation - Electronics, Research and Development group, Hitachi, Ltd., Kokubunji-shi, Tokyo 185-8601, Japan)
資料名： Surface Science  (Surface Science)
巻： 666  ページ： 9-13  発行年： 2017年 
JST資料番号： C0129B  ISSN： 0039-6028  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 10 10Paの極高真空で動作する冷電界エミッタ(CFE)からの放出電流で見られた異常な量子化ビームゆらぎ。これらの変動の背後にある微視的機構を明らかにするために,第一原理計算によって得られた局所的な電位分布を用いての代わりに,仕事関数を用いて強電場4×10~9V/mの下で不均一表面からの電界放出を評価するための新しい計算方法を開発した。タングステン表面上に吸着した単一分子の第一原理計算の結果,これらの二原子は最も安定な位置に配置した場合,一酸化炭素(CO)分子の解離吸着は,CおよびO吸着原子を囲む領域におけるポテンシャル障壁を変えることにより放出電流を増強することを見出した。はまた,最も安定な位置からのO原子の移動は,放出電流を減少させることが分かった。放出電流の上昇と低下のこれらのタイプはCFE放出電流の観測された量子化された変動を定量的に説明する。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： *電界放出 ,  量子化 ,  電場 ,  仕事関数 ,  ゆらぎ ,  *タングステン ,  *一酸化炭素 ,  計算 ,  ポテンシャル障壁 ,  電位分布
準シソーラス用語： 吸着原子 ,  第一原理計算 ,  放出電流 ,  電界エミッタ , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (4件)： 電界電子放出 ,  電場 ,  密度汎関数理論 ,  タングステン(310)

分類 (5件)： 表面の電子構造  (BM02080J) ,  半導体の表面構造  (BK15030A) ,  熱電子放出,電界放出  (BM09020S) ,  固-気界面一般  (CB12041H) ,  吸着の電子論  (CB12042Y)

タイトルに関連する用語 (6件)： タングステン ,  一酸化炭素 ,  分子 ,  電界放出 ,  ナノメートルスケール ,  識別