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J-GLOBAL ID：201702220047624949   整理番号：17A1519333

Raman分光法によるグラフェン材料の研究進展を特性化した。【JST・京大機械翻訳】

Research Progress in Raman Spectroscopy Characterization of Graphene Materials

著者 (4件)： Li Kunwei (中国標准化研究院 北京100142) ,  Hao Huanhuan (北京工業大学材料科学与工程学院 北京 100124) ,  Liu Jingbing (北京工業大学材料科学与工程学院 北京 100124) ,  Wang Hao (北京工業大学材料科学与工程学院 北京 100124)
資料名： Huaxue Tongbao  (Huaxue Tongbao)
巻： 80  号： 3  ページ： 236-240,245  発行年： 2017年 
JST資料番号： C2008A  ISSN： 0441-3776  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 中国 (CHN)  言語： 中国語 (ZH)

抄録/ポイント： グラフェンの独特の二元化電子構造はナノ電子デバイスにおいて良好な応用前景を持たせることができる。Raman分光法は,高感度で簡便な技術として,グラフェンの構造と特性を特性化するために成功裏に使用されている。本論文では、主に異なる基質及びドープしたグラフェンに対して行われたラマン分光研究を紹介した。インジウムスズ酸化物、サファイアとガラス基板上のグラフェンのRamanスペクトルの観察により、異なる基底上のグラフェンのRamanピークと2Dピークは異なる程度の変位があるが、2Dピーク値はグラフェン層数を判断できるという結論がまだ適用されている。ドーピングはグラフェンの電荷状態を変えることができ、グラフェンは正孔(p)型または電子(n)型のドーピング特性を示し、グラフェンのRamanスペクトルの変化により、グラフェンのドーピングの種類を定量的に測定でき、グラフェンのキャリア濃度を定量的に特性化することができる。Data from Wanfang. Translated by JST【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： *キャラクタリゼーション ,  Ramanスペクトル ,  高感度 ,  酸化スズ ,  電子構造 ,  基質 ,  *Raman分光法 ,  正孔 ,  サファイア ,  ピーク値 ,  ドーピング ,  *グラフェン ,  キャリア密度 ,  インジウム
準シソーラス用語： ガラス基板 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (3件)： Graphene ,  Substrate ,  Doping

分類 (2件)： 炭素とその化合物  (YB02060D) ,  半導体薄膜  (BK14040E)

タイトルに関連する用語 (5件)： Raman分光法 ,  グラフェン ,  研究 ,  進展 ,  特性化