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J-GLOBAL ID：201702220126784911   整理番号：17A1475298

ケルビンプローブフォース顕微鏡による有機薄膜トランジスタの局所電位評価

Surface Potential Measurements of Organic Thin-Film Transistors by Kelvin-Probe Force Microscopy

著者 (2件)： 小林圭 (京都大学工学研究科) ,  山田啓文 (京都大学工学研究科)
資料名： Journal of the Vacuum Society of Japan  (Journal of the Vacuum Society of Japan)
巻： 60  号： 10  ページ： 392-396(J-STAGE)  発行年： 2017年 
JST資料番号： G0194A  ISSN： 1882-2398  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 文献レビュー  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： 有機薄膜トランジスタ(OTFT)の実用化には薄膜の構造評価と局所領域での電位分布やトラップ電荷密度評価が重要である。ケルビンプローブフォース顕微鏡KPFM測定は動的モードの原子間力顕微鏡に基づいて試料の表面電位を視覚化する技術である。Kelvin法では電極を振動させて誘起される変位電流を打ち消して表面電位を測定するが,振動を与える方式として振幅を変化させるAM方式と周波数を変化させるFM方式があり,真空中で試験をする場合FM方式が適していることを示した。KPFMを使用した動作中のOTFTチャネル内電位分布測定結果を解析し,電流の律速が発生している微細スケールの電極/有機薄膜界面の位置の特定,あるいは局所領域のトラップ密度分布可視化が可能なことを紹介した。

シソーラス用語： *薄膜トランジスタ ,  表面電位 ,  可視化 ,  密度 ,  *原子間力顕微鏡
準シソーラス用語： データ視覚化 ,  *周波数変調原子間力顕微鏡 ,  表面電荷密度 ,  *有機薄膜トランジスタ

分類 (3件)： 電子顕微鏡,イオン顕微鏡  (BD02050B) ,  顕微鏡法  (BK01040E) ,  トランジスタ  (NC03070N)

引用文献 (27件)：

• 1) A. Tsumura, H. Koezuka and T. Ando: Appl. Phys. Lett., 49 (1986) 1210.
• 2) J. H. Burroughes, C. A. Jones and R. H. Friend: Nature, 335 (1998) 137.
• 3) G. Horowitz, D. Fichou, X. Peng, Z. Xu and F. Garnier: Solid State Commun., 72 (1989) 381.
• 4) C. Reese, M. Roberts, M.-M. Ling, Z. Bao: Mater. Today, 7 (2004) 20.
• 5) H. Klauk: Chem. Soc. Rev., 39 (2010) 2643.

タイトルに関連する用語 (3件)： ケルビンプローブフォース顕微鏡 ,  有機薄膜トランジスタ ,  評価