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J-GLOBAL ID：201702220196086419   整理番号：17A0445379

AgAlO_2の電子および光学特性:第一原理研究【Powered by NICT】

Electronic and optical properties of AgAlO₂: A first-principles study

著者 (2件)： Bhamu K.C. (Department of Physics, Goa University, Taleigao Plateau, 403206, Goa, India) ,  Priolkar K.R. (Department of Physics, Goa University, Taleigao Plateau, 403206, Goa, India)
資料名： Materials Chemistry and Physics  (Materials Chemistry and Physics)
巻： 190  ページ： 114-119  発行年： 2017年 
JST資料番号： E0934A  ISSN： 0254-0584  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本論文では,銀系デラフォサイト化合物AgAlO_2(AAO)の電子的および光学的特性を示した。電子特性のために,バンド構造と状態密度を計算した。バンド構造の起源は状態密度の観点から明らかにした。バンド構造の有意な寄与はFermi準位近傍にAg-4dとO-2p状態に由来する。推定されたバンドギャップは2.34eVのバンドギャップ値を持つAAOの間接半導体的性質を示した。光学的性質のために,周波数依存誘電関数を計算した。誘電関数の虚数成分のピークは分散関係における電子遷移により説明した。計算結果は文献中で利用できるそれらと一致した。広いバンドギャップと,UVおよび可視光光子に対する透明度はAAOを透明エレクトロニクスのための貴重な材料。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： 周波数依存性 ,  *第一原理 ,  電子遷移 ,  Fermi準位 ,  電子技術 ,  誘電関数 ,  可視光 ,  バンドギャップ ,  虚数 ,  バンド構造 ,  光子 ,  分散関係 ,  状態密度 ,  透明度
準シソーラス用語： デラフォサイト , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (4件)： 密度汎関数理論 ,  電子バンド構造 ,  光学的性質 ,  I-III-VI半導体

分類 (1件)： 塩  (CD01050V)

タイトルに関連する用語 (4件)： 電子 ,  光学特性 ,  第一原理 ,  研究