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J-GLOBAL ID：201702220293643918   整理番号：17A1033115

高安定性黒りんFETの酸化物トラップの正確なマッピング【Powered by NICT】

Accurate mapping of oxide traps in highly-stable black phosphorus FETs

著者 (7件)： Illarionov Yu. Yu. (TU Wien, Austria) ,  Rzepa G. (TU Wien, Austria) ,  Waltl M. (TU Wien, Austria) ,  Knobloch T. (TU Wien, Austria) ,  Kim J.-S. (The University of Texas at Austin, USA) ,  Akinwande D. (The University of Texas at Austin, USA) ,  Grasser T. (TU Wien, Austria)
資料名： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)
巻： 2017  号： EDTM  ページ： 114-115  発行年： 2017年 
JST資料番号： W2441A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 高安定性黒リン電界効果トランジスタを吟味し,それが十か月以上のための再現性のある特性を示すことができることを示した。それにもかかわらず,これらの素子の性能は,酸化物トラップの熱活性化電荷捕獲に影響されることを示した。これらの重要なトラップを特性化するために,著者らは異なる時定数をもつ欠陥の正確なマッピングを可能にする普遍的な実験技術を導入した。室温で抽出した酸化物トラップ密度はより成熟したSi/SiO_2素子について報告されたものに近かった。Copyright 2017 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： 再現性 ,  時定数 ,  *黒リン ,  *酸化物 ,  FET【トランジスタ】 ,  キャラクタリゼーション
準シソーラス用語： トラップ密度 ,  実験技術 ,  電荷捕獲 ,  熱活性化 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (6件)： 安定性 ,  黒りん ,  FET ,  酸化物 ,  トラップ ,  マッピング