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J-GLOBAL ID：201702220307587318   整理番号：17A1627471

分子ビームエピタクシーによる高異種ペロブスカイトSrTiO_3(001)基板上の準安定閃亜鉛鉱型MnTe薄膜の成長【Powered by NICT】

Growth of the metastable zinc-blende MnTe films on highly dissimilar perovskite SrTiO₃ (001) substrates by molecular beam epitaxy

著者 (12件)： Zhu Xuanting (Department of Electrical Engineering, Key Lab of Polar Materials and Devices, Ministry of Education, East China Normal University, Shanghai, 200241, China) ,  Song Kun (Department of Electrical Engineering, Key Lab of Polar Materials and Devices, Ministry of Education, East China Normal University, Shanghai, 200241, China) ,  Tang Kai (Department of Electrical Engineering, Key Lab of Polar Materials and Devices, Ministry of Education, East China Normal University, Shanghai, 200241, China) ,  Bai Wei (Department of Electrical Engineering, Key Lab of Polar Materials and Devices, Ministry of Education, East China Normal University, Shanghai, 200241, China) ,  Bai Jiawei (Department of Electrical Engineering, Key Lab of Polar Materials and Devices, Ministry of Education, East China Normal University, Shanghai, 200241, China) ,  Zhu Liangqing (Department of Electrical Engineering, Key Lab of Polar Materials and Devices, Ministry of Education, East China Normal University, Shanghai, 200241, China) ,  Yang Jing (Department of Electrical Engineering, Key Lab of Polar Materials and Devices, Ministry of Education, East China Normal University, Shanghai, 200241, China) ,  Zhang Yuanyuan (Department of Electrical Engineering, Key Lab of Polar Materials and Devices, Ministry of Education, East China Normal University, Shanghai, 200241, China) ,  Qi Ruijuan (Department of Electrical Engineering, Key Lab of Polar Materials and Devices, Ministry of Education, East China Normal University, Shanghai, 200241, China) ,  Huang Rong (Department of Electrical Engineering, Key Lab of Polar Materials and Devices, Ministry of Education, East China Normal University, Shanghai, 200241, China) ,  Tang Xiaodong (Department of Electrical Engineering, Key Lab of Polar Materials and Devices, Ministry of Education, East China Normal University, Shanghai, 200241, China) ,  Chu Junhao (Department of Electrical Engineering, Key Lab of Polar Materials and Devices, Ministry of Education, East China Normal University, Shanghai, 200241, China)
資料名： Journal of Alloys and Compounds  (Journal of Alloys and Compounds)
巻： 729  ページ： 95-99  発行年： 2017年 
JST資料番号： D0083A  ISSN： 0925-8388  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： ペロブスカイトSrTiO_3(001)上でのMnTe膜の成長温度とテルル化マンガンフラックス比に依存する系統的成長は,この論文で検討した。高結晶品質と原子的に平坦な表面をもつ準安定閃亜鉛鉱型(ZB)MnTe単結晶膜をエピタキシャル二次元成長領域による遵守の堆積した。エピタキシャル関係は(111)ZB MnTe(002)STOおよび[110]ZB MnTe[010]STO,または等価な方向。最後に,電子回折,X線回折及び電子顕微鏡から推定した原子間距離の変化によって明らかにされた超薄補基質の形成,コンプライアントエピタキシャルメカニズムをSrTiO_3(001)上のZB MnTe膜の成長を説明するために提案した。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： 電子回折 ,  *薄膜 ,  *エピタクシー ,  基質 ,  *閃亜鉛鉱 ,  X線回折 ,  *MBE成長 ,  電子顕微鏡 ,  核間距離
準シソーラス用語： 二次元成長 ,  単結晶膜 ,  結晶品質 ,  成長温度 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (4件)： 閃亜鉛鉱型MnTe薄膜 ,  分子ビームエピタクシー ,  ペロブスカイトSrTiO_3(001)基板 ,  コンプライアントエピタキシャル機構

分類 (2件)： 酸化物薄膜  (BK14050P) ,  半導体結晶の電子構造  (BM02060N)

タイトルに関連する用語 (5件)： 分子ビームエピタクシー ,  ペロブスカイト ,  閃亜鉛鉱 ,  薄膜 ,  成長