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J-GLOBAL ID：201702220345553989   整理番号：17A1720314

非対称障壁を有する磁気トンネル接合における電気的に同調可能なトンネル整流磁気抵抗【Powered by NICT】

Electrically tunable tunneling rectification magnetoresistance in magnetic tunneling junctions with asymmetric barriers

著者 (10件)： Wang Jing (School of Physics, State Key Laboratory of Crystal Materials, Shandong University, Jinan 250100, China. [e-mail] [e-mail]) ,  Huang Qikun ,  Shi Peng ,  Zhang Kun ,  Tian Yufeng ,  Yan Shishen ,  Chen Yanxue ,  Liu Guolei ,  Kang Shishou ,  Mei Liangmo
資料名： Nanoscale  (Nanoscale)
巻： 9  号： 41  ページ： 16073-16078  発行年： 2017年 
JST資料番号： W2323A  ISSN： 2040-3364  CODEN： NANOHL  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 多機能スピントロニクスデバイスの開発は電子の多自由度,電荷,スピンと軌道のような同時制御を必要とし,特に新しい物理的機能性は,1つの特定素子における二以上の異なる物理的機構を組み合わせることにより実現できる。ここでは,新しいトンネル整流磁気抵抗(TRMR)の実現,電荷整流とスピン依存トンネル磁気抵抗は非対称トンネル障壁をもつCo/CoO/Co磁気トンネル接合における集積を報告した。デバイスへの直流と交流を同時に適用することによって,TRMRは低温で 300%から2200%の範囲で調整した。この概念実証研究は,電荷とスピンの電気的および磁気的制御,将来のスピントロニクス応用にとってより魅力的な緊急機能性を生じる他のヘテロ接合に適用できるに調査されていない手段を提供する。Copyright 2017 Royal Society of Chemistry All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： *磁気抵抗 ,  *非対称性 ,  *磁気 ,  ヘテロ接合 ,  *同調 ,  電荷 ,  スピントロニクス ,  *整流 ,  低温
準シソーラス用語： トンネル障壁 ,  トンネル磁気抵抗 ,  機能性 ,  多自由度 ,  多機能 ,  *磁気トンネル接合 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (2件)： 半導体結晶の電気伝導  (BM03043X) ,  原子・分子のクラスタ  (BH09030O)

タイトルに関連する用語 (7件)： 非対称 ,  障壁 ,  磁気トンネル接合 ,  同調 ,  トンネル ,  整流 ,  磁気抵抗