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J-GLOBAL ID：201702220391167337   整理番号：17A1040909

金属有機化学蒸着による(010)酸化ガリウム基板上の非極性GaN膜の成長

Non-polar GaN film growth on (0 1 0) gallium oxide substrate by metal organic chemical vapor deposition

著者 (6件)： CAO Yu (HRL Lab., LLC, CA, USA) ,  LI Ray (HRL Lab., LLC, CA, USA) ,  WILLIAMS Adam J. (HRL Lab., LLC, CA, USA) ,  CHU Rongming (HRL Lab., LLC, CA, USA) ,  CORRION Andrea L. (HRL Lab., LLC, CA, USA) ,  CHANG Ryan (HRL Lab., LLC, CA, USA)
資料名： Journal of Materials Research  (Journal of Materials Research)
巻： 32  号： 9  ページ： 1611-1617  発行年： 2017年05月15日 
JST資料番号： D0987B  ISSN： 0884-2914  CODEN： JMREEE  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 酸化ガリウム(Ga₂O₃)は次世代パワーエレクトロニクスに注目されている。しかし,安定なp型ドーピングがないため,縦型Ga₂O₃トランジスタの開発は制限されている。GaNとGa₂O₃の伝導バンドオフセットは0.1eV以下と考えられ,そのたね,Ga₂O₃基板を用いた統合GbN基デバイスが注目されている。これを実現するためには,GaNとGa₂O₃の高品質ヘテロエピタキシャル成長方法および結晶成長に関する知見が必要である。本研究では,有機金属化学蒸着(MOCVD)により,(010)Ga₂O₃基板上に非極性a面GaNの作製に初めて成功した。結晶成長に及ぼすAlGaN核形成層およびGaN成長圧力の影響について検討した。

シソーラス用語： *薄膜成長 ,  *窒化ガリウム ,  MOCVD ,  非極性 ,  *酸化ガリウム ,  基板 ,  エピタクシー ,  結晶方位 ,  パワーエレクトロニクス ,  トランジスタ ,  結晶成長 ,  *微細構造 ,  結晶核形成 ,  電子顕微鏡観察 ,  表面性状 ,  表面粗さ ,  顕微鏡観察 ,  X線回折分析 ,  二次イオン質量分析
準シソーラス用語： GaN ,  金属有機化学蒸着 ,  エピタキシャル成長 ,  結晶配向 ,  微細組織 ,  透過型電子顕微鏡法 ,  原子間力顕微鏡法 ,  SIMS【質量分析】

分類 (1件)： その他の無機化合物の薄膜  (BK14060A)

タイトルに関連する用語 (5件)： 金属有機化学蒸着 ,  酸化ガリウム ,  非極性 ,  GaN ,  成長