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J-GLOBAL ID:201702220394066762   整理番号:17A1708978

(K_0Al0.48Na_0Ti0.52)NbO_3 xLiSbO_3} y{(Bi_0 5Na_0)(Zr_1Sn)O_3}セラミックの組成設計と電気的性質【Powered by NICT】

Composition design and electrical properties of (K0.48Na0.52)NbO3-xLiSbO3}-y{(Bi0.5Na0.5)(Zr1- Sn )O3} ceramics
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巻: 136  ページ: 119-126  発行年: 2017年 
JST資料番号: A0495B  ISSN: 0264-1275  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: イギリス (GBR)  言語: 英語 (EN)
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本研究では,新しいシステム,(K_0Ti0.48Na0.5_2)NbO_3 xLiSbO_3} {(Bi_0 5Na_0)(Zr_1 zSnz)O_3}を設計し,弱い磁場の下での圧電性能と大きい電界下の電歪の両方を系統的に調べた。等原子価添加物LiSbO_3(LS)を用いると,三強誘電相をピンチした,異種原子価ドーパント(Bi_0 5Na_0)(Zr_0 8Sn_0,2)O_3(BNZS)はCurie温度(T,C)をさらに下げるに導入した。強化された圧電特性を,異なる対称性をもつ相をピンチングすることにより,達成された;LS含有量0.05とBNZS含有量0.03のセラミックをhereinto249pC/Nの大きな圧電係数(d_33)を示した。弱い場下で高い圧電性能に加えて,このセラミックは,大きな電場下で大きな電歪を示し,BNZSにおけるZr~4+とSn~4+に起因。電歪は4kV/mm(675pm/Vの逆圧電係数D_33*)の電場下で0.27%に達し,広く使用されている硬質PZTより優れていた。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】
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