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J-GLOBAL ID：201702220414157151   整理番号：17A1277131

超薄シリコンダイヤフラムの高分解能非接触厚さ試験法【Powered by NICT】

A high-resolution non-contact thickness test method of ultra-thin silicon diaphragm

著者 (12件)： Guan Taotao (Institute of Microelectronics, Peking University) ,  Yang Fang (Institute of Microelectronics, Peking University) ,  Wang Wei (Institute of Microelectronics, Peking University) ,  Jiang Boyan (Institute of Microelectronics, Peking University) ,  Liu Peng (Institute of Microelectronics, Peking University) ,  Zhang Li (Institute of Microelectronics, Peking University) ,  Li Rui (Institute of Microelectronics, Peking University) ,  Fan Zexin (Institute of Microelectronics, Peking University) ,  Cheng Leijian (Institute of Microelectronics, Peking University) ,  Wang Wei (Institute of Microelectronics, Peking University) ,  Zhao Qiancheng (Institute of Microelectronics, Peking University) ,  Zhang Dacheng (Institute of Microelectronics, Peking University)
資料名： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)
巻： 2017  号： TRANSDUCERS  ページ： 2079-2082  発行年： 2017年 
JST資料番号： W2441A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： KOH空洞浸食により作製した超薄シリコンダイヤフラムの高分解能非接触厚さ測定法を報告した。初めて,膜厚が減少すると試験感度は増加するので,新しい方法である超薄膜測定に特に適している。,光学顕微鏡,ステッププロファイラと光学プロファイラーのような伝統的な試験方法はシリコンウエハの全厚さ変動(TTV)による薄膜を測定することができない。多層材料の変形機構を用いて,膜厚と膜変形曲率半径(曲線)関係モデルを高分解能と非接触厚み測定を実現するために確立し,最適化した。膜曲率半径を測定することによってのみ,膜厚は簡便な方法で得られたであろう。KOHマスク上の応力解放構造(SRS)を厚さ測定するための鍵である。5.01μm厚薄膜(480 μm × 480 μm)では,曲線は 18.77mmとして測定した。光学プロファイラの鉛直変形測定の高精度(3 nm)に加えて,膜厚測定法の分解能は非常に高かった(<0.1 μm)。Copyright 2017 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： 薄膜 ,  最適化 ,  光学顕微鏡 ,  *高分解能 ,  *分解能 ,  多層 ,  厚み測定 ,  膜厚 ,  超薄膜
準シソーラス用語： 膜厚計測 ,  高精度 ,  応力解放 ,  曲率半径 ,  シリコンウエハ ,  *非接触 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： 光学的測定とその装置一般  (BD07010S)

タイトルに関連する用語 (6件)： シリコン ,  ダイヤフラム ,  高分解能 ,  非接触 ,  厚さ ,  試験法