深く埋没した層のHAXPESにおけるバックグラウンド解析のための効果的な非弾性散乱断面積【Powered by NICT】

Risterucci P.; Risterucci P.; Risterucci P.; Risterucci P.; Renault O.; Renault O.; Zborowski C.; Zborowski C.; Zborowski C.; Zborowski C.; Zborowski C.; Bertrand D.; Bertrand D.; Torres A.; Torres A.; Rueff J.-P.; Rueff J.-P.; Ceolin D.; Grenet G.; Tougaard S.

文献

J-GLOBAL ID：201702220460657097 整理番号：17A0445222

深く埋没した層のHAXPESにおけるバックグラウンド解析のための効果的な非弾性散乱断面積【Powered by NICT】

Effective inelastic scattering cross-sections for background analysis in HAXPES of deeply buried layers

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資料名：
巻： 402 ページ： 78-85 発行年： 2017年
JST資料番号： B0707B ISSN： 0169-4332 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：原著論文発行国：オランダ (NLD) 言語：英語 (EN)

HAXPESスペクトルの非弾性バックグラウンド解析は最近深く埋め込まれた層や界面における元素分布へのアクセスを得るための強力な手段として導入された,表面下60nmまでの深さであった。しかし解析の精度は,潜在的に非常に異なる散乱特性を持つ個々の層から成る被覆層構造を通る光電子の輸送を効果的に記述することができる適切な散乱断面積に依存する。,Quases解析ソフトウェアに実装されたTougaardの実用的フレームワーク内で,広く異なる断面を有する厚い(25 40nm)多層構造を通る光電子輸送は各層の個々の断面積の加重和の形で有効断面積で記述できることを示した。高分解能内殻準位解析は部分的に使用される個々の断面積の性質を決定するための指針を提供する。連続アニーリング処理の前と後でAlGaN/GaN電力トランジスタデバイススタックにおけるトップAl/Ti二層構造の実用的な場合とこの新しい方法を例示した。解析は表面下約50nmまでのTiとGa深さ分布に関する信頼性のある洞察を提供した。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

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固体デバイス製造技術一般 , スパッタリング , 電子分光スペクトル

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