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J-GLOBAL ID：201702220483661137   整理番号：17A0939059

正孔輸送層としてのリチウム塩をドープしたポリ(9 ビンリカルバゾール)を用いた高効率量子ドット発光ダイオード【Powered by NICT】

High-efficiency quantum dot light-emitting diodes employing lithium salt doped poly(9-vinlycarbazole) as a hole-transporting layer

著者 (6件)： Shi Ying-Li (Jiangsu Key Laboratory for Carbon-Based Functional Materials & Devices, Institute of Functional Nano & Soft Materials (FUNSOM), and Collaborative Innovation Centre of Suzhou Nano Science and Technology, Soochow University, Suzhou, Jiangsu 215123, China. [e-mail]) ,  Liang Feng ,  Hu Yun ,  Wang Xue-Dong ,  Wang Zhao-Kui ,  Liao Liang-Sheng
資料名： Journal of Materials Chemistry C. Materials for Optical, Magnetic and Electronic Devices  (Journal of Materials Chemistry C. Materials for Optical, Magnetic and Electronic Devices)
巻： 5  号： 22  ページ： 5372-5377  発行年： 2017年 
JST資料番号： W2383A  ISSN： 2050-7526  CODEN： JMCCCX  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 高性能溶液処理した量子ドット発光ダイオード(QLEDs)を作製する目的のために,低電流密度での効率的な正孔-電子再結合が特に重要である。QLEDデバイスの電荷バランスを向上させるために,著者らはポリ(9 ビンリカルバゾール)(PVK)の正孔輸送材料(HTM)にp型ドーパントとしてリチウムビス(トリフルオロメチルスルホニル)イミド(Li TFSI)を使用した。実験において,増加した伝導度とLi TFSIをドープしたPVK層の増強された電荷移動度は正孔のみの素子と導電性原子間力顕微鏡(c AFM)のJ-V曲線により確認した。さらに,紫外光電子分光法(UPS)と吸収スペクトルの組み合わせに,Li TFSIをドープしたPVK層の最高被占分子軌道(HOMO)は徐々にドーピング比を0から4.5wt%にFermi準位のより近くにシフトすることが分かった。,正孔注入障壁は1.17eVから0.64eVに減少した。結果として,筆者らの作製したQLEDデバイスの最大電流効率と最高の外部量子効率(EQE)は15.5Cd A~ 1と11.46%に達した。HTMにおけるp型ドーパントLiTFSIは,高性能溶液処理発光ダイオードの作製に寄与する可能性があることを実証した。Copyright 2017 Royal Society of Chemistry All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： 電荷 ,  *量子ドット ,  Fermi準位 ,  *発光ダイオード ,  キャリア移動度 ,  *正孔 ,  HOMO ,  ドーパント ,  電流効率 ,  *ドーピング
準シソーラス用語： 外部量子効率 ,  正孔注入 ,  *正孔輸送 ,  溶液処理 ,  *正孔輸送層 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (2件)： 発光素子  (NC03082G) ,  高分子固体の物理的性質  (CG02024U)

タイトルに関連する用語 (6件)： 正孔輸送層 ,  リチウム塩 ,  ドープ ,  高効率 ,  量子ドット ,  発光ダイオード