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J-GLOBAL ID：201702220508681068   整理番号：17A0375123

SnS光吸収材膜の電気化学的および光電気化学的キャラクタリゼーション【Powered by NICT】

Electrochemical and photoelectrochemical characterization of SnS photoabsorber films

著者 (4件)： Kois Julia (Tallinn University of Technology, Department of Materials Science, Ehitajate tee 5, 19086 Tallinn, Estonia) ,  Bereznev Sergei (Tallinn University of Technology, Department of Materials Science, Ehitajate tee 5, 19086 Tallinn, Estonia) ,  Maricheva Jelena (Tallinn University of Technology, Department of Materials Science, Ehitajate tee 5, 19086 Tallinn, Estonia) ,  Revathi Naidu (Tallinn University of Technology, Department of Materials Science, Ehitajate tee 5, 19086 Tallinn, Estonia)
資料名： Materials Science in Semiconductor Processing  (Materials Science in Semiconductor Processing)
巻： 58  ページ： 76-81  発行年： 2017年 
JST資料番号： W1055A  ISSN： 1369-8001  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 酸性媒体中でのSnS薄膜電極の電気化学的および光電気化学的挙動に関する比較研究を,SnS電解質界面反応を調べるために実施した。サイクリックボルタンメトリー検査は0.1MH_2SO_4のバックグランド溶液中でSnS層の電気化学的分解中の酸化と還元反応を特性化した。SnS膜上の表面とその形成の動力学上の不動態酸化物-水酸化物層の存在が観察された。対応する界面反応を詳細に検討し,同様の研究における最新技術と比較した。光電気化学測定は,SnSの光活性の減少は,主としてSnS表面上のスズ水酸化物超薄層の形成に起因することを示した。一方,不動態化水酸化物層の電気化学的還元後photoactyvity増加は,例えばmV対SCEでの電気化学的酸化は,SnS超薄SnO層の表面に形成され,ほぼ4倍の光活性を増加させるが観察された。本論文では,電気化学的処理によるSnS光吸収体界面の改質に特別な注意を払った。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： 界面 ,  *電気化学 ,  不動態 ,  *光電気化学 ,  酸化物 ,  膜電極 ,  不動態化 ,  *キャラクタリゼーション ,  吸収体 ,  水酸化物 ,  電気化学的挙動 ,  カソード還元 ,  サイクリックボルタンメトリー
準シソーラス用語： 光活性化 ,  界面反応 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (5件)： 硫化すず ,  光電気化学的特性化 ,  電気化学的処理 ,  電気化学的インピーダンス分光法 ,  太陽光発電

分類 (2件)： 固体デバイス製造技術一般  (NC03030V) ,  光化学一般  (CB08010U)

タイトルに関連する用語 (5件)： SNS ,  光吸収材 ,  電気化学 ,  光電気化学 ,  キャラクタリゼーション