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J-GLOBAL ID：201702220558922454   整理番号：17A1725019

中赤外プラズモニクスのための金の代替としての 3~10~20cmを超える活性化ドーピングによるシリコン上の高濃度ドープゲルマニウム【Powered by NICT】

Heavily-doped germanium on silicon with activated doping exceeding 10²⁰ cm^-3 as an alternative to gold for mid-infrared plasmonics

著者 (14件)： Frigerio Jacopo (L-NESS, Dipartimento di Fisica, Politecnico di Milano, Polo di Como, Via Anzani 42, I-22100 Como, Italy) ,  Ballabio Andrea (L-NESS, Dipartimento di Fisica, Politecnico di Milano, Polo di Como, Via Anzani 42, I-22100 Como, Italy) ,  Pellegrini G. (Dipartimento di Fisica, Politecnico di Milano, piazza Leonardo da Vinci 32, I-20133 Milano, Italy) ,  Gallacher Kevin (School of Engineering, University of Glasgow, Rankine Building, Oakfield Avenue, Glasgow G12 8LT, United Kingdom) ,  Giliberti Valeria (Dipartimento di Fisica, Sapienza Universita` di Roma, Piazzale Aldo Moro 5, I-00185 Rome, Italy) ,  Baldassarre Leonetta (Dipartimento di Fisica, Sapienza Universita` di Roma, Piazzale Aldo Moro 5, I-00185 Rome, Italy) ,  Milazzo Ruggero (Dipartimento di Fisica e Astronomia, Universita` di Padova and CNR-IMM Matis, Via Marzolo 8, I-35131 Padova, Italy) ,  Huet Karim (Laser system and solutions of Europe, 14-38 rue Alexandre - ba^t d 92230 Gennevilliers, France) ,  Mazzamuto Fulvio (Laser system and solutions of Europe, 14-38 rue Alexandre - ba^t d 92230 Gennevilliers, France) ,  Biagioni Paolo (Dipartimento di Fisica, Politecnico di Milano, piazza Leonardo da Vinci 32, I-20133 Milano, Italy) ,  Paul Douglas J. (School of Engineering, University of Glasgow, Rankine Building, Oakfield Avenue, Glasgow G12 8LT, United Kingdom) ,  Ortolani Michele (Dipartimento di Fisica, Sapienza Universita` di Roma, Piazzale Aldo Moro 5, I-00185 Rome, Italy) ,  Napolitani Enrico (Dipartimento di Fisica e Astronomia, Universita` di Padova and CNR-IMM Matis, Via Marzolo 8, I-35131 Padova, Italy) ,  Isella Giovanni (L-NESS, Dipartimento di Fisica, Politecnico di Milano, Polo di Como, Via Anzani 42, I-22100 Como, Italy)
資料名： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)
巻： 2017  号： GFP  ページ： 9-10  発行年： 2017年 
JST資料番号： W2441A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： Ge-オン-Siは,Siファウンドリ互換プラズモニクスのためのプラットフォームであることを示した。レーザ熱アニーリングを用いて3~20μmの中赤外センシング窓の大部分を可能にする金プラズモニクスに匹敵する増強で覆われたとする活性ドーピングレベル10~20cm~ 3>を実証した。Copyright 2017 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： レーザ ,  *ケイ素 ,  *金
準シソーラス用語： 熱アニーリング ,  *高濃度 ,  *プラズモニクス , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (2件)： 固体プラズマ  (BM02160W) ,  無機化合物一般及び元素  (CD01010D)

タイトルに関連する用語 (9件)： プラズモニクス ,  金 ,  代替 ,  活性化 ,  ドーピング ,  シリコン ,  高濃度 ,  ドープ ,  ゲルマニウム