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J-GLOBAL ID：201702220571936674   整理番号：17A0830008

Rochow反応のためのCuOに及ぼすIn_2O_3の促進効果:ヘテロ界面でのp-n接合の形成【Powered by NICT】

Promoting effect of In₂O₃ on CuO for the Rochow reaction: The formation of P-N junctions at the hetero-interfaces

著者 (9件)： Zhang Yu (State Key Laboratory of Multiphase Complex Systems, Institute of Process Engineering, Chinese Academy of Sciences, Beijing 100190, China) ,  Zhang Yu (University of Chinese Academy of Sciences, Beijing 100049, China) ,  Li Jing (State Key Laboratory of Multiphase Complex Systems, Institute of Process Engineering, Chinese Academy of Sciences, Beijing 100190, China) ,  Li Jing (University of Chinese Academy of Sciences, Beijing 100049, China) ,  Liu Hezhi (State Key Laboratory of Multiphase Complex Systems, Institute of Process Engineering, Chinese Academy of Sciences, Beijing 100190, China) ,  Ji Yongjun (State Key Laboratory of Multiphase Complex Systems, Institute of Process Engineering, Chinese Academy of Sciences, Beijing 100190, China) ,  Zhong Ziyi (Institute of Chemical and Engineering Sciences, Agency for Science, Technology and Research (A*STAR), 1 Pesek Road, Jurong Island, Singapore 627833, Singapore) ,  Zhong Ziyi (School of Chemical & Biomedical Engineering, Nanyang Technological University (NTU), 62 Nanyang Drive, Singapore 637459, Singapore) ,  Su Fabing (State Key Laboratory of Multiphase Complex Systems, Institute of Process Engineering, Chinese Academy of Sciences, Beijing 100190, China)
資料名： Journal of Catalysis  (Journal of Catalysis)
巻： 348  ページ： 110-124  発行年： 2017年 
JST資料番号： H0480A  ISSN： 0021-9517  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 界面および異なるIn/Cuモル比で形成されたp-n接合のRochow反応のための一連のxIn CuOモデル触媒の合成に関する最初の研究を報告した。これらの複合材料は,前駆体および沈殿剤としての金属硝酸塩とK_2CO_3を用いたワンポット水熱法により調製した。走査電子顕微鏡と透過電子顕微鏡の特性化によって,CuOとIn_2O_3間のヘテロ界面におけるp-n接合の形成を明らかにし,X線光電子分光法とH_2昇温還元はCuOとIn_2O_3相間の強い相互作用を示した。In_2O_3を添加すると,Cu核の電子密度を増加させ,Cu~2+とIn~3+を引き起こすが少なく,より正に帯電したがであった。Rochow反応に用いられるとき,触媒2In CuO(CuO上に2wt.%In)は有意に高いSi変換とCuO,電荷移動を容易にするP-N接合の形成に起因するよりもジメチルジクロロシラン((CH_3)2SiCl_2,M2)選択性を示した。さらに,新鮮及び使用済み接触質量の詳細な特性評価により,Rochow反応がSi表面に,おそらく超薄二次元Cu-Si種とCuドーピング堆積物の間の領域で起こることがわかった。In_2O_3種はCu~*(中間体)の外側への拡散を促進し,反応界面でのCu~*拡散速度を改善した。Rochow反応の基本的な理解を深めるだけでなく,In_2O_3のような促進剤を添加することによって,界面を操作することによってより効率的なCu系触媒の設計のための新しいアプローチを提供する。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： 水熱合成 ,  *界面 ,  触媒 ,  キャラクタリゼーション ,  前駆体 ,  *酸化第二銅 ,  ケイ素 ,  X線光電子分光法 ,  *銅 ,  走査電子顕微鏡 ,  TPR【触媒】 ,  硝酸塩 ,  *PN接合 ,  透過型電子顕微鏡 ,  複合材料

著者キーワード (5件)： CuO ,  In_2O_3 ,  P-N接合 ,  電子移動 ,  超薄Cu-Si非晶質種

分類 (2件)： その他の触媒  (CB06123Z) ,  有害ガス処理法  (SC04030H)

タイトルに関連する用語 (4件)： CuO ,  促進 ,  ヘテロ界面 ,  p-n接合