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J-GLOBAL ID：201702220625198422   整理番号：17A1392709

高度三次元不均一集積における鉱柱 凹形構造を用いた低温Cu-Cu直接ボンディング【Powered by NICT】

Low-Temperature Cu-Cu Direct Bonding Using Pillar-Concave Structure in Advanced 3-D Heterogeneous Integration

著者 (10件)： Yang Yu-Tao (Department of Electronics Engineering, National Chiao Tung University, Hsinchu, Taiwan) ,  Chou Tzu-Chieh (Department of Electronics Engineering, National Chiao Tung University, Hsinchu, Taiwan) ,  Yu Ting-Yang (Department of Electronics Engineering, National Chiao Tung University, Hsinchu, Taiwan) ,  Chang Yu-Wei (Department of Electronics Engineering, National Chiao Tung University, Hsinchu, Taiwan) ,  Huang Tai-Yuan (Unimicron Technology Corporation, Hsinchu, Taiwan) ,  Yang Kai-Ming (Unimicron Technology Corporation, Hsinchu, Taiwan) ,  Ko Cheng-Ta (Unimicron Technology Corporation, Hsinchu, Taiwan) ,  Chen Yu-Hua (Unimicron Technology Corporation, Hsinchu, Taiwan) ,  Tseng Tzyy-Jang (Unimicron Technology Corporation, Hsinchu, Taiwan) ,  Chen Kuan-Neng (Department of Electronics Engineering, National Chiao Tung University, Hsinchu, Taiwan)
資料名： IEEE Transactions on Components, Packaging, and Manufacturing Technology  (IEEE Transactions on Components, Packaging, and Manufacturing Technology)
巻： 7  号： 9  ページ： 1560-1566  発行年： 2017年 
JST資料番号： W0590B  ISSN： 2156-3950  CODEN： ITCPC8  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 高分子層なしにシリコン基板上にピラーと凹面を利用した低温Cu-Cuボンディングを大気圧下200°Cで実施することに成功した。ボンディングプロセス中に発生する応力と変形の有限要素法(FEM)シミュレーションは,いくつかの柱直径と製造プロセスに起因する凹面側壁角の結合結果に及ぼすそれらの影響を議論するために提示した。FEM(有限要素法)シミュレーションのパラメータの変化はまた,結合結果を強化するために検討する。パラメータは,柱の直径,凹面の側壁角,凹形の開口の形状,Cu凹面層下での特別な高分子層の添加,接合温度,柱 凹面構造のピッチを含んでいる。柱 凹面構造を用いたCu-Cu結合の実施は,基板と低接合温度の各種への適用性の利点を持つ半導体産業における既存の包装方法に関する前向き効果を持つ可能性がある。Copyright 2017 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： *凹形 ,  半導体工業 ,  有限要素法 ,  *銅 ,  高分子 ,  シミュレーション ,  *三次元 ,  生産工程 ,  *鉱柱 ,  適応性 ,  凹面 ,  開口
準シソーラス用語： 接合温度 ,  シリコンウエハ , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： 固体デバイス製造技術一般  (NC03030V)

タイトルに関連する用語 (8件)： 高度 ,  不均一 ,  集積 ,  鉱柱 ,  凹形 ,  低温 ,  Cu ,  ボンディング